ZTX712STOA
Nur als Referenz
| Teilenummer | ZTX712STOA |
| PNEDA Teilenummer | ZTX712STOA |
| Beschreibung | TRANS PNP DARL 60V 0.8A E-LINE |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.418 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 14 - Jun 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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ZTX712STOA Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ZTX712STOA |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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ZTX712STOA Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP - Darlington |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 800mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 60V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.25V @ 8mA, 800mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 10000 @ 500mA, 5V |
| Leistung - max | 1W |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | E-Line-3, Formed Leads |
| Lieferantengerätepaket | E-Line (TO-92 compatible) |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 340mV @ 100mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 270 @ 1A, 2V Leistung - max 2.5W Frequenz - Übergang 155MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket SOT-223 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie * Transistortyp - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Leistung - max - Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SOT-323-3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie * Transistortyp - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Leistung - max - Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1μA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 1mA, 6V Leistung - max 500mW Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 2.8V @ 40mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 750 @ 2A, 3V Leistung - max 40W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket SOT-32-3 |
