ZVP3310ASTOA
Nur als Referenz
| Teilenummer | ZVP3310ASTOA |
| PNEDA Teilenummer | ZVP3310ASTOA |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.596 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 14 - Jun 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
ZVP3310ASTOA Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | ZVP3310ASTOA |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- ZVP3310ASTOA Datasheet
- where to find ZVP3310ASTOA
- Diodes Incorporated
- Diodes Incorporated ZVP3310ASTOA
- ZVP3310ASTOA PDF Datasheet
- ZVP3310ASTOA Stock
- ZVP3310ASTOA Pinout
- Datasheet ZVP3310ASTOA
- ZVP3310ASTOA Supplier
- Diodes Incorporated Distributor
- ZVP3310ASTOA Price
- ZVP3310ASTOA Distributor
ZVP3310ASTOA Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 140mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20Ohm @ 150mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 625mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | E-Line (TO-92 compatible) |
| Paket / Fall | E-Line-3 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 25A (Ta), 198A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 155nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8030pF @ 40V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.3W (Ta), 187W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket Power56 Paket / Fall 8-PowerTDFN |
Hersteller IXYS Serie CoolMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 6.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 440µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 100V FET-Funktion Super Junction Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220ABFP Paket / Fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Hersteller IXYS Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 400A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 430nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14500pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1500W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PLUS247™ Paket / Fall TO-247-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.25W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket Micro3™/SOT-23 Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller STMicroelectronics Serie SuperMESH5™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 950V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V Vgs (Max) 30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 105pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 45W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket IPAK (TO-251) Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
