ZXTC2063E6TA
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| Teilenummer | ZXTC2063E6TA |
| PNEDA Teilenummer | ZXTC2063E6TA |
| Beschreibung | TRANS NPN/PNP 40V 3.5A/3A SOT23 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.290 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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ZXTC2063E6TA Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ZXTC2063E6TA |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Datenblatt |
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ZXTC2063E6TA Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN, PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 3.5A, 3A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 40V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 195mV @ 350mA, 3.5A / 175mV @ 300mA, 3A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 50nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 300 @ 10mA, 2V / 200 @ 1A, 2V |
| Leistung - max | 1.1W |
| Frequenz - Übergang | 190MHz, 270MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-6 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-26 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/355 Transistortyp 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 300 @ 1mA, 5V Leistung - max 350mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-78-6 |
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