Dioden & Gleichrichter

MBR1590CT C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Gleichrichter - Arrays

DIODE ARRAY SCHOTTKY 90V TO220AB

• Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 90V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 7.5A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 100µA @ 90V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-220-3
• Lieferantengerätepaket: TO-220AB

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MBR1590CTHC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Gleichrichter - Arrays

DIODE ARRAY SCHOTTKY 90V TO220AB

• Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
• Serie: Automotive, AEC-Q101
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 90V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 7.5A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 100µA @ 90V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-220-3
• Lieferantengerätepaket: TO-220AB

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MBR15H35CT-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Gleichrichter - Arrays

DIODE SCHOTTKY TO-220AC

• Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: *
• Diodenkonfiguration: -
• Diodentyp: -
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): -
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): -
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: -
• Geschwindigkeit: -
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: -
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -
• Montagetyp: -
• Paket / Fall: -
• Lieferantengerätepaket: -

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MBR15H35CTHE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Gleichrichter - Arrays

DIODE SCHOTTKY TO-220AC

• Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: *
• Diodenkonfiguration: -
• Diodentyp: -
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): -
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): -
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: -
• Geschwindigkeit: -
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: -
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -
• Montagetyp: -
• Paket / Fall: -
• Lieferantengerätepaket: -

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MBR15H45CT-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Gleichrichter - Arrays

DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220AB

• Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 45V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 7.5A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 630mV @ 7.5A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 50µA @ 45V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -65°C ~ 175°C
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-220-3
• Lieferantengerätepaket: TO-220AB

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MBR15H45CTHE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Gleichrichter - Arrays

DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220AB

• Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 45V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 7.5A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 630mV @ 7.5A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 50µA @ 45V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -65°C ~ 175°C
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-220-3
• Lieferantengerätepaket: TO-220AB

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MBR15H50CT-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Gleichrichter - Arrays

DIODE SCHOTTKY TO-220AC

• Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: *
• Diodenkonfiguration: -
• Diodentyp: -
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): -
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): -
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: -
• Geschwindigkeit: -
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: -
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -
• Montagetyp: -
• Paket / Fall: -
• Lieferantengerätepaket: -

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MBR15H50CTHE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Gleichrichter - Arrays

DIODE SCHOTTKY TO-220AC

• Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: *
• Diodenkonfiguration: -
• Diodentyp: -
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): -
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): -
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: -
• Geschwindigkeit: -
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: -
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -
• Montagetyp: -
• Paket / Fall: -
• Lieferantengerätepaket: -

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MBR15H60CT-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Gleichrichter - Arrays

DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB

• Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 60V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 7.5A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 730mV @ 7.5A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 50µA @ 60V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -65°C ~ 175°C
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-220-3
• Lieferantengerätepaket: TO-220AB

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MBR15H60CTHE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Gleichrichter - Arrays

DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB

• Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 60V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 7.5A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 730mV @ 7.5A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 50µA @ 60V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -65°C ~ 175°C
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-220-3
• Lieferantengerätepaket: TO-220AB

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MBR16100CT

Diodes Incorporated

Gleichrichter - Arrays

DIODE SCHOTTKY TO220

• Hersteller: Diodes Incorporated
• Serie: *
• Diodenkonfiguration: -
• Diodentyp: -
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): -
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): -
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: -
• Geschwindigkeit: -
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: -
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -
• Montagetyp: -
• Paket / Fall: -
• Lieferantengerätepaket: -

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MBR16100CT

ON Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: SWITCHMODE™
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 100V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 8A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 740mV @ 8A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 100µA @ 100V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -65°C ~ 175°C
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-220-3
• Lieferantengerätepaket: TO-220AB

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MBR16100CTG

ON Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: SWITCHMODE™
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 100V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 8A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 740mV @ 8A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 100µA @ 100V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -65°C ~ 175°C
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-220-3
• Lieferantengerätepaket: TO-220AB

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MBR16100CTH

ON Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE SCHOTTKY

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: SWITCHMODE™
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 100V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 8A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 740mV @ 8A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 100µA @ 100V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -65°C ~ 175°C
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-220-3
• Lieferantengerätepaket: TO-220-3

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MBR1640CT

SMC Diode Solutions

Gleichrichter - Arrays

DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO220AB

• Hersteller: SMC Diode Solutions
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 40V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): -
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 16A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 1mA @ 40V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-220-3
• Lieferantengerätepaket: TO-220AB

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MBR200100CT

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 100V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 100A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 5mA @ 20V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR200100CTR

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 100V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 100A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 5mA @ 20V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR200100CTS

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 100V 200A SOT227

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 2 Independent
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 100V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 100A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 10µA @ 80V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -40°C ~ 175°C
• Montagetyp: Screw Mount
• Paket / Fall: SOT-227-4
• Lieferantengerätepaket: SOT-227

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MBR200150CT

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 150V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 100A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 3mA @ 150V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR200150CTR

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 150V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 100A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 3mA @ 150V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR200200CT

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 200V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 100A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 3mA @ 200V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR200200CTR

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 200V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 100A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 3mA @ 200V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR20020CT

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 20V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 5mA @ 20V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR20020CTR

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 20V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 5mA @ 20V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR20030CT

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 30V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 5mA @ 20V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR20030CTR

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 30V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 5mA @ 20V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR20035CT

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 35V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 5mA @ 20V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR20035CTR

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 35V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 5mA @ 20V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR20040CT

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 40V 200A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 40V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 5mA @ 20V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR20040CTR

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 40V 200A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 40V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 5mA @ 20V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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