Dioden & Gleichrichter

MBR41H100CTG

ON Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: SWITCHMODE™
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 100V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 20A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 10µA @ 100V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: 175°C (Max)
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-220-3
• Lieferantengerätepaket: TO-220AB

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MBR41H100CTH

ON Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE SCHOTTKY

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: SWITCHMODE™
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 100V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 20A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 10µA @ 100V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: 175°C (Max)
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-220-3
• Lieferantengerätepaket: TO-220-3

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MBR500100CT

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 100V 500A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 100V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 250A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 1mA @ 20V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR500100CTR

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 100V 500A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Schottky, Reverse Polarity
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 100V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 250A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 1mA @ 20V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR500150CT

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE SCHOTTKY 150V 250A 2 TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 150V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 250A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 250A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 3mA @ 150V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR500150CTR

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE SCHOTTKY 150V 250A 2 TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 150V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 250A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 250A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 3mA @ 150V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR500200CT

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE SCHOTTKY 200V 250A 2 TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 200V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 250A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 250A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 3mA @ 200V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR500200CTR

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE SCHOTTKY 200V 250A 2 TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 200V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 250A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 250A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 3mA @ 200V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR50020CT

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 20V 500A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 20V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 250A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 1mA @ 20V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR50020CTR

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 20V 500A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 20V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 250A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 1mA @ 20V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR50030CT

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 30V 500A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 30V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 250A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 1mA @ 20V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR50030CTR

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 30V 500A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 30V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 250A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 1mA @ 20V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR50035CT

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 35V 500A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 35V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 250A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 1mA @ 20V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR50035CTR

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 35V 500A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 35V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 250A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 1mA @ 20V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR50040CT

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 40V 500A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 40V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 250A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 1mA @ 20V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR50040CTR

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 40V 500A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 40V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 250A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 1mA @ 20V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR50045CT

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 45V 500A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 45V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 250A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 1mA @ 20V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR50045CTR

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 45V 500A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Schottky, Reverse Polarity
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 45V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 250A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 1mA @ 20V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR50060CT

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 600V 500A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 600V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 250A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 1mA @ 20V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR50060CTR

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 600V 500A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Schottky, Reverse Polarity
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 600V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 250A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 1mA @ 20V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR50080CT

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 80V 500A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 80V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 250A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 1mA @ 20V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR50080CTR

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 80V 500A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Schottky, Reverse Polarity
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 80V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 250A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 1mA @ 20V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR600100CT

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 100V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 300A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 300A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 1mA @ 20V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR600100CTR

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 100V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 300A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 300A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 1mA @ 20V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR600150CT

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 150V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 300A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 300A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 3mA @ 150V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR600150CTR

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 150V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 300A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 300A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 3mA @ 150V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR600200CT

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 200V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 300A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 300A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 3mA @ 200V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR600200CTR

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 200V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 300A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 300A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 3mA @ 200V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR60020CT

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 20V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 300A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 1mA @ 20V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MBR60020CTL

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE SCHOTTKY 20V 300A 2 TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 20V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 300A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 300A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 3mA @ 20V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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