Dioden & Gleichrichter

MUR1620CTG

ON Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE ARRAY GP 200V 8A TO220AB

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: SWITCHMODE™
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 200V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 8A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 35ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 5µA @ 200V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -65°C ~ 175°C
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-220-3
• Lieferantengerätepaket: TO-220AB

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MUR1620CTH

ON Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE GEN PURPOSE

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 200V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 8A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 35ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 5µA @ 200V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -65°C ~ 175°C
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-220-3
• Lieferantengerätepaket: TO-220-3

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MUR1620CTHC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Gleichrichter - Arrays

DIODE ARRAY GP 200V 16A TO220AB

• Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
• Serie: Automotive, AEC-Q101
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 200V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 16A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 25ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 5µA @ 200V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 175°C
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-220-3
• Lieferantengerätepaket: TO-220AB

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MUR1620CTR

ON Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE ARRAY GP 200V 8A TO220AB

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: SWITCHMODE™
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 200V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 8A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 8A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 85ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 5µA @ 200V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -65°C ~ 175°C
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-220-3
• Lieferantengerätepaket: TO-220AB

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MUR1620CTRG

ON Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE ARRAY GP 200V 8A TO220AB

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: SWITCHMODE™
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 200V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 8A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 8A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 85ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 5µA @ 200V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -65°C ~ 175°C
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-220-3
• Lieferantengerätepaket: TO-220AB

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MUR1620CTRH

ON Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE GEN PURPOSE

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 200V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 8A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 8A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 85ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 5µA @ 200V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -65°C ~ 175°C
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-220-3
• Lieferantengerätepaket: TO-220-3

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MUR1640CT

ON Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE ARRAY GP 400V 8A TO220AB

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: SWITCHMODE™
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 400V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 8A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.30V @ 8A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 60ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 10µA @ 400V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -65°C ~ 175°C
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-220-3
• Lieferantengerätepaket: TO-220AB

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MUR1640CT C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Gleichrichter - Arrays

DIODE ARRAY GP 400V 16A TO220AB

• Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 400V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 16A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 8A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 50ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 10µA @ 400V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 175°C
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-220-3
• Lieferantengerätepaket: TO-220AB

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MUR1640CTG

ON Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE ARRAY GP 400V 8A TO220AB

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: SWITCHMODE™
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 400V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 8A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.30V @ 8A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 60ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 10µA @ 400V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -65°C ~ 175°C
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-220-3
• Lieferantengerätepaket: TO-220AB

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MUR1640CTH

ON Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE GEN PURPOSE

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 400V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 8A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 8A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 60ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 10µA @ 400V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -65°C ~ 175°C
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-220-3
• Lieferantengerätepaket: TO-220-3

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MUR1640CTHC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Gleichrichter - Arrays

DIODE ARRAY GP 400V 16A TO220AB

• Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
• Serie: Automotive, AEC-Q101
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 400V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 16A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 8A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 50ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 10µA @ 400V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 175°C
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-220-3
• Lieferantengerätepaket: TO-220AB

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MUR1660CT

ON Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220AB

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: SWITCHMODE™
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 600V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 8A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 8A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 60ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 10µA @ 600V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -65°C ~ 175°C
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-220-3
• Lieferantengerätepaket: TO-220AB

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MUR1660CT C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Gleichrichter - Arrays

DIODE ARRAY GP 600V 16A TO220AB

• Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 600V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 16A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 8A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 50ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 10µA @ 600V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 175°C
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-220-3
• Lieferantengerätepaket: TO-220AB

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MUR1660CTG

ON Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220AB

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: SWITCHMODE™
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 600V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 8A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 8A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 60ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 10µA @ 600V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -65°C ~ 175°C
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-220-3
• Lieferantengerätepaket: TO-220AB

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MUR1660CTHC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Gleichrichter - Arrays

DIODE ARRAY GP 600V 16A TO220AB

• Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
• Serie: Automotive, AEC-Q101
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 600V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 16A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 8A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 50ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 10µA @ 600V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 175°C
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-220-3
• Lieferantengerätepaket: TO-220AB

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MUR20005CT

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 50V 200A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 50V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 75ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 50V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MUR20005CTR

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 50V 200A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 50V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 75ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 50V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MUR20010CT

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 100V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 75ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 50V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MUR20010CTR

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 100V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 75ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 50V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MUR20020CT

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 200V 200A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 200V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 75ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 50V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MUR20020CTR

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 200V 200A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 200V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 75ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 50V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MUR20040CT

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 400V 200A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 400V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 50A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 90ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 50V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MUR20040CTR

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 400V 200A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 400V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 50A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 90ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 50V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MUR20060CT

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 600V 200A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 600V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 50A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 110ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 50V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MUR20060CTR

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 600V 200A 2TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 600V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 50A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 110ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 50V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Twin Tower
• Lieferantengerätepaket: Twin Tower

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MUR2020CT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Gleichrichter - Arrays

DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB

• Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: FRED Pt®
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 200V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 8A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 35ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 15µA @ 200V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -65°C ~ 175°C
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-220-3
• Lieferantengerätepaket: TO-220AB

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MUR2X030A02

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE GEN PURP 200V 60A SOT227

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 2 Independent
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 200V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 30A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 60ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 200V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 175°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
• Lieferantengerätepaket: SOT-227

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MUR2X030A04

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE GEN PURP 400V 30A SOT227

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 2 Independent
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 400V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 30A
• Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 400V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 175°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
• Lieferantengerätepaket: SOT-227

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MUR2X030A06

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE GEN PURP 600V 60A SOT227

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 2 Independent
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 600V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 30A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 60ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 600V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 175°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
• Lieferantengerätepaket: SOT-227

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MUR2X030A10

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE GEN PURP 1000V 60A SOT227

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 2 Independent
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 1000V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.35V @ 30A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 85ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 1000V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 175°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
• Lieferantengerätepaket: SOT-227

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