Dioden & Gleichrichter

MURT30040

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 400V 300A 3TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 400V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 300A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 150A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 150ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 50V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Three Tower
• Lieferantengerätepaket: Three Tower

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MURT30040R

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 400V 300A 3TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 400V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 300A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 150A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 150ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 50V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Three Tower
• Lieferantengerätepaket: Three Tower

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MURT30060

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 600V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 300A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 150A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 200ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 50V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Three Tower
• Lieferantengerätepaket: Three Tower

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MURT30060R

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 600V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 300A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 150A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 200ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 50V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Three Tower
• Lieferantengerätepaket: Three Tower

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MURT40005

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 50V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 200A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 125ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 50V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Three Tower
• Lieferantengerätepaket: Three Tower

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MURT40005R

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 50V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 200A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 125ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 50V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Three Tower
• Lieferantengerätepaket: Three Tower

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MURT40010

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 100V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 200A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 125ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 50V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Three Tower
• Lieferantengerätepaket: Three Tower

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MURT40010R

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 100V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 200A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 125ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 50V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Three Tower
• Lieferantengerätepaket: Three Tower

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MURT40020

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 200V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 200A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 125ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 50V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Three Tower
• Lieferantengerätepaket: Three Tower

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MURT40020R

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 200V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 200A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 125ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 50V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Three Tower
• Lieferantengerätepaket: Three Tower

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MURT40040

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 400V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 200A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 180ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 50V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Three Tower
• Lieferantengerätepaket: Three Tower

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MURT40040R

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Standard, Reverse Polarity
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 400V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 200A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 180ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 50V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Three Tower
• Lieferantengerätepaket: Three Tower

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MURT40060

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 600V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 200A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 240ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 50V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Three Tower
• Lieferantengerätepaket: Three Tower

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MURT40060R

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 600V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 200A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 240ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 50V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Three Tower
• Lieferantengerätepaket: Three Tower

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MURTA200120

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 1200V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.6V @ 100A
• Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 1200V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Three Tower
• Lieferantengerätepaket: Three Tower

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MURTA200120R

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 1200V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.6V @ 100A
• Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 1200V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Three Tower
• Lieferantengerätepaket: Three Tower

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MURTA20020

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 200V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A
• Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 200V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Three Tower
• Lieferantengerätepaket: Three Tower

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MURTA20020R

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 200V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A
• Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 200V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Three Tower
• Lieferantengerätepaket: Three Tower

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MURTA20040

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE GEN PURP 400V 100A 3 TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 400V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A
• Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 400V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Three Tower
• Lieferantengerätepaket: Three Tower

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MURTA20040R

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE GEN PURP 400V 100A 3 TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 400V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A
• Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 400V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Three Tower
• Lieferantengerätepaket: Three Tower

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MURTA20060

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 600V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 100A
• Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 600V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Three Tower
• Lieferantengerätepaket: Three Tower

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MURTA20060R

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 600V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 100A
• Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 600V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Three Tower
• Lieferantengerätepaket: Three Tower

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MURTA300120

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 600V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 150A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.6V @ 150A
• Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 600V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Three Tower
• Lieferantengerätepaket: Three Tower

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MURTA300120R

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 600V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 150A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.6V @ 150A
• Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 600V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Three Tower
• Lieferantengerätepaket: Three Tower

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MURTA30020

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE GEN PURP 200V 150A 3 TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 200V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 150A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 150A
• Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 200V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Three Tower
• Lieferantengerätepaket: Three Tower

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MURTA30020R

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE GEN PURP 200V 150A 3 TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 200V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 150A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 150A
• Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 200V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Three Tower
• Lieferantengerätepaket: Three Tower

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MURTA30040

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE GEN PURP 400V 150A 3 TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 400V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 150A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 150A
• Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 400V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Three Tower
• Lieferantengerätepaket: Three Tower

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MURTA30040R

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE GEN PURP 400V 150A 3 TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 400V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 150A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 150A
• Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 400V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Three Tower
• Lieferantengerätepaket: Three Tower

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MURTA30060

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 600V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 150A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 150A
• Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 600V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Three Tower
• Lieferantengerätepaket: Three Tower

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MURTA30060R

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Arrays

DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 600V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 150A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 150A
• Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25µA @ 600V
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: Three Tower
• Lieferantengerätepaket: Three Tower

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