Dioden & Gleichrichter

1N7039CCU1

Microsemi

Gleichrichter - Single

SCHOTTKY RECTIFIER

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1N7043CAT1

Microsemi

Gleichrichter - Single

SCHOTTKY RECTIFIER

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Microsemi

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1N7052UR-1

Microsemi

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1N7053UR-1

Microsemi

Gleichrichter - Single

SCHOTTKY RECTIFIER

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1N7054-1

Microsemi

Gleichrichter - Single

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1N7054UR-1

Microsemi

Gleichrichter - Single

SCHOTTKY RECTIFIER

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1N7055-1

Microsemi

Gleichrichter - Single

SCHOTTKY RECTIFIER

• Hersteller: Microsemi Corporation
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1N7055UR-1

Microsemi

Gleichrichter - Single

SCHOTTKY RECTIFIER

• Hersteller: Microsemi Corporation
• Serie: *
• Diodentyp: -
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): -
• Current - Average Rectified (Io): -
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: -
• Geschwindigkeit: -
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: -
• Kapazität @ Vr, F.: -
• Montagetyp: -
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• Lieferantengerätepaket: -
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -

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1N8024-GA

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Single

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodentyp: Silicon Carbide Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 1200V
• Current - Average Rectified (Io): 750mA
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.74V @ 750mA
• Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 0ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 10µA @ 1200V
• Kapazität @ Vr, F.: 66pF @ 1V, 1MHz
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-257-3
• Lieferantengerätepaket: TO-257
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 250°C

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1N8026-GA

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Single

DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodentyp: Silicon Carbide Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 1200V
• Current - Average Rectified (Io): 8A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 2.5A
• Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 0ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 10µA @ 1200V
• Kapazität @ Vr, F.: 237pF @ 1V, 1MHz
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-257-3
• Lieferantengerätepaket: TO-257
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 250°C

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1N8028-GA

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Single

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodentyp: Silicon Carbide Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 1200V
• Current - Average Rectified (Io): 9.4A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 10A
• Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 0ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 20µA @ 1200V
• Kapazität @ Vr, F.: 884pF @ 1V, 1MHz
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-257-3
• Lieferantengerätepaket: TO-257
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 250°C

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1N8030-GA

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Single

DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodentyp: Silicon Carbide Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 650V
• Current - Average Rectified (Io): 750mA
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.39V @ 750mA
• Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 0ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 5µA @ 650V
• Kapazität @ Vr, F.: 76pF @ 1V, 1MHz
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-257-3
• Lieferantengerätepaket: TO-257
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 250°C

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1N8031-GA

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Single

DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodentyp: Silicon Carbide Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 650V
• Current - Average Rectified (Io): 1A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 1A
• Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 0ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 5µA @ 650V
• Kapazität @ Vr, F.: 76pF @ 1V, 1MHz
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-276AA
• Lieferantengerätepaket: TO-276
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 250°C

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1N8032-GA

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Single

DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodentyp: Silicon Carbide Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 650V
• Current - Average Rectified (Io): 2.5A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2.5A
• Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 0ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 5µA @ 650V
• Kapazität @ Vr, F.: 274pF @ 1V, 1MHz
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-257-3
• Lieferantengerätepaket: TO-257
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 250°C

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1N8033-GA

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Single

DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodentyp: Silicon Carbide Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 650V
• Current - Average Rectified (Io): 4.3A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.65V @ 5A
• Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 0ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 5µA @ 650V
• Kapazität @ Vr, F.: 274pF @ 1V, 1MHz
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: TO-276AA
• Lieferantengerätepaket: TO-276
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 250°C

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1N8034-GA

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Single

DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodentyp: Silicon Carbide Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 650V
• Current - Average Rectified (Io): 9.4A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.34V @ 10A
• Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 0ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 5µA @ 650V
• Kapazität @ Vr, F.: 1107pF @ 1V, 1MHz
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: TO-257-3
• Lieferantengerätepaket: TO-257
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 250°C

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1N8035-GA

GeneSiC Semiconductor

Gleichrichter - Single

DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276

• Hersteller: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Diodentyp: Silicon Carbide Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 650V
• Current - Average Rectified (Io): 14.6A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 15A
• Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 0ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 5µA @ 650V
• Kapazität @ Vr, F.: 1107pF @ 1V, 1MHz
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: TO-276AA
• Lieferantengerätepaket: TO-276
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 250°C

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1N914

MICROSS/On Semiconductor

Gleichrichter - Single

DIODE GEN PURP 100V 200MA DIE

• Hersteller: MICROSS/On Semiconductor
• Serie: Automotive, AEC-Q101
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 100V
• Current - Average Rectified (Io): 200mA
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA
• Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
• Reverse Recovery Time (trr): 4ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 25nA @ 20V
• Kapazität @ Vr, F.: 4pF @ 0V, 1MHz
• Montagetyp: -
• Paket / Fall: Die
• Lieferantengerätepaket: Die
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 175°C

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1N914

Microsemi

Gleichrichter - Single

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

• Hersteller: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 75V
• Current - Average Rectified (Io): 200mA
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 50mA
• Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
• Reverse Recovery Time (trr): 20ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 500nA @ 75V
• Kapazität @ Vr, F.: 4pF @ 0V, 1MHz
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: DO-204AH, DO-35, Axial
• Lieferantengerätepaket: DO-35 (DO-204AH)
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -65°C ~ 175°C

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