Speicher-ICs

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BR93G66FJ-3AGTE2 Rohm Semiconductor	Speicher MICROWIRE BUS 4KBIT(256X16BIT) E Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 4Kb (256 x 16) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 3MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP-J	Auf Lager21.288
BR93G66FJ-3BGTE2 Rohm Semiconductor	Speicher MICROWIRE BUS 4KBIT(256X16BIT) E Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 4Kb (256 x 16) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 3MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP-J	Auf Lager22.356
BR93G66FJ-3GTE2 Rohm Semiconductor	Speicher MICROWIRE BUS 4KBIT(256X16BIT) E Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 4Kb (256 x 16) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 3MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP-J	Auf Lager22.386
BR93G66FV-3BGTE2 Rohm Semiconductor	Speicher MICROWIRE BUS 4KBIT(256X16BIT) E Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 4Kb (256 x 16) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 3MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SSOPB	Auf Lager19.440
BR93G66FV-3GTE2 Rohm Semiconductor	Speicher MICROWIRE BUS 4KBIT(256X16BIT) E Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 4Kb (256 x 16) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 3MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SSOPB	Auf Lager24.186
BR93G66FVJ-3AGTE2 Rohm Semiconductor	Speicher MICROWIRE BUS 4KBIT(256X16BIT) E Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 4Kb (256 x 16) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 3MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP-BJ	Auf Lager23.352
BR93G66FVJ-3BGTE2 Rohm Semiconductor	Speicher MICROWIRE BUS 4KBIT(256X16BIT) E Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 4Kb (256 x 16) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 3MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP-BJ	Auf Lager22.404
BR93G66FVM-3AGTTR Rohm Semiconductor	Speicher MICROWIRE BUS 4KBIT(256X16BIT) E Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 4Kb (256 x 16) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 3MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-MSOP	Auf Lager27.990
BR93G66FVM-3GTTR Rohm Semiconductor	Speicher MICROWIRE BUS 4KBIT(256X16BIT) E Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 4Kb (256 x 16) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 3MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-MSOP	Auf Lager28.848
BR93G66FVT-3AGE2 Rohm Semiconductor	Speicher MICROWIRE BUS 4KBIT(256X16BIT) E Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 4Kb (256 x 16) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 3MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP-B	Auf Lager22.062
BR93G66FVT-3GE2 Rohm Semiconductor	Speicher MICROWIRE BUS 4KBIT(256X16BIT) E Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 4Kb (256 x 16) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 3MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP-B	Auf Lager27.960
BR93G66NUX-3TTR Rohm Semiconductor	Speicher MICROWIRE BUS 4KBIT(256X16BIT) E Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 4Kb (256 x 16) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 3MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-UFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: VSON008X2030	Auf Lager7.056
BR93G76F-3AGTE2 Rohm Semiconductor	Speicher MICROWIRE BUS 8KBIT(512X16BIT) E Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 8Kb (512 x 16) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 3MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager41.778
BR93G76F-3BGTE2 Rohm Semiconductor	Speicher MICROWIRE BUS 8KBIT(512X16BIT) E Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 8Kb (512 x 16) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 3MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager24.954
BR93G76F-3GTE2 Rohm Semiconductor	Speicher MICROWIRE BUS 8KBIT(512X16BIT) E Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 8Kb (1K x 8, 512 x 16) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 3MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager6.930
BR93G76FJ-3BGTE2 Rohm Semiconductor	Speicher IC EEPROM 8K SPI 3MHZ 8SOPJ Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 8Kb (512 x 16) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 3MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager3.312
BR93G76FV-3AGTE2 Rohm Semiconductor	Speicher MICROWIRE BUS 8KBIT(512X16BIT) E Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 8Kb (512 x 16) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 3MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SSOPB	Auf Lager5.778
BR93G76FVJ-3AGTE2 Rohm Semiconductor	Speicher IC EEPROM 8K SPI 3MHZ 8TSSOP Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 8Kb (512 x 16) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 3MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP-BJ	Auf Lager8.928
BR93G76FVJ-3BGTE2 Rohm Semiconductor	Speicher IC EEPROM 8K SPI 3MHZ 8TSSOP Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 8Kb (512 x 16) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 3MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP-BJ	Auf Lager21.048
BR93G76FVJ-3GTE2 Rohm Semiconductor	Speicher IC EEPROM 8K SPI 3MHZ 8TSSOP Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 8Kb (1K x 8, 512 x 16) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 3MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP-BJ	Auf Lager24.162
BR93G76FVM-3AGTTR Rohm Semiconductor	Speicher IC EEPROM 8K SPI 3MHZ 8MSOP Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 8Kb (512 x 16) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 3MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-MSOP	Auf Lager25.476
BR93G76FVM-3BGTTR Rohm Semiconductor	Speicher IC EEPROM 8K SPI 3MHZ 8MSOP Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 8Kb (512 x 16) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 3MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-MSOP	Auf Lager22.950
BR93G76FVM-3GTTR Rohm Semiconductor	Speicher IC EEPROM 8K SPI 3MHZ 8MSOP Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 8Kb (1K x 8, 512 x 16) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 3MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-MSOP	Auf Lager25.062
BR93G76FVT-3AGE2 Rohm Semiconductor	Speicher IC EEPROM 8K SPI 3MHZ 8TSSOP Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 8Kb (512 x 16) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 3MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP-B	Auf Lager6.786
BR93G76FVT-3BGE2 Rohm Semiconductor	Speicher IC EEPROM 8K SPI 3MHZ 8TSSOP Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 8Kb (512 x 16) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 3MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP-B	Auf Lager27.534
BR93G76FVT-3GE2 Rohm Semiconductor	Speicher IC EEPROM 8K SPI 3MHZ 8TSSOP Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 8Kb (1K x 8, 512 x 16) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 3MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP-B	Auf Lager4.554
BR93G76NUX-3ATTR Rohm Semiconductor	Speicher IC EEPROM 8K SPI VSON008X2030 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 8Kb (512 x 16) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 3MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-UFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: VSON008X2030	Auf Lager27.612
BR93G76NUX-3BTTR Rohm Semiconductor	Speicher IC EEPROM 8K SPI VSON008X2030 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 8Kb (512 x 16) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 3MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-UFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: VSON008X2030	Auf Lager31.644
BR93G76NUX-3TTR Rohm Semiconductor	Speicher IC EEPROM 8K SPI VSON008X2030 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 8Kb (1K x 8, 512 x 16) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 3MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-UFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: VSON008X2030	Auf Lager34.524
BR93G86-3 Rohm Semiconductor	Speicher IC EEPROM 16K SPI 3MHZ 8-DIP-T Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 16Kb (2K x 8, 1K x 16) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 3MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 8-DIP-T	Auf Lager2.250

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