Speicher-ICs

CY14B102NS-BA45XC

Cypress Semiconductor

Speicher

NON VOLATILE SRAMS

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 2Mb (128K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
• Zugriffszeit: 45ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 48-FBGA (6x10)

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CY14B102NS-BA45XCT

Cypress Semiconductor

Speicher

IC NVSRAM 2M PARALLEL 48FBGA

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 2Mb (128K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
• Zugriffszeit: 45ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 48-FBGA (6x10)

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CY14B104K-ZS25XI

Cypress Semiconductor

Speicher

IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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CY14B104K-ZS25XIT

Cypress Semiconductor

Speicher

IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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CY14B104K-ZS45XI

Cypress Semiconductor

Speicher

IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
• Zugriffszeit: 45ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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CY14B104K-ZS45XIT

Cypress Semiconductor

Speicher

IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
• Zugriffszeit: 45ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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CY14B104LA-BA25XI

Cypress Semiconductor

Speicher

IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 48-FBGA (6x10)

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CY14B104LA-BA25XIT

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 48-FBGA (6x10)

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CY14B104LA-BA45XI

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
• Zugriffszeit: 45ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 48-FBGA (6x10)

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
• Zugriffszeit: 45ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 48-FBGA (6x10)

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CY14B104LA-ZS20XI

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 20ns
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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CY14B104LA-ZS20XIT

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 20ns
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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CY14B104LA-ZS25XI

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 20ns
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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CY14B104LA-ZS45XI

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
• Zugriffszeit: 45ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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CY14B104LA-ZS45XIT

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
• Zugriffszeit: 45ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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CY14B104L-BA20XC

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 20ns
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 48-FBGA (6x10)

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CY14B104L-BA20XCT

Cypress Semiconductor

Speicher

IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 20ns
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 48-FBGA (6x10)

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CY14B104L-BA20XI

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 20ns
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 48-FBGA (6x10)

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CY14B104L-BA20XIT

Cypress Semiconductor

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 20ns
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 48-FBGA (6x10)

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CY14B104L-BA25XC

Cypress Semiconductor

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 48-FBGA (6x10)

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 48-FBGA (6x10)

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 48-FBGA (6x10)

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CY14B104L-BA25XIT

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 48-FBGA (6x10)

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
• Zugriffszeit: 45ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 48-FBGA (6x10)

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• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
• Zugriffszeit: 45ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 48-FBGA (6x10)

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
• Zugriffszeit: 45ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 48-FBGA (6x10)

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Cypress Semiconductor

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns
• Zugriffszeit: 45ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 48-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 48-FBGA (6x10)

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 20ns
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: NVSRAM
• Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 20ns
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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