Speicher-ICs

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DS1250YP-100 Maxim Integrated	Speicher IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP Hersteller: Maxim Integrated Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns Zugriffszeit: 100ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 34-PowerCap™ Module Lieferantengerätepaket: 34-PowerCap Module	Auf Lager4.932
DS1250YP-70 Maxim Integrated	Speicher IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP Hersteller: Maxim Integrated Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 34-PowerCap™ Module Lieferantengerätepaket: 34-PowerCap Module	Auf Lager1.769
DS1250YP-70+ Maxim Integrated	Speicher IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP Hersteller: Maxim Integrated Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 34-PowerCap™ Module Lieferantengerätepaket: 34-PowerCap Module	Auf Lager1.961
DS1250YP-70IND Maxim Integrated	Speicher IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP Hersteller: Maxim Integrated Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 34-PowerCap™ Module Lieferantengerätepaket: 34-PowerCap Module	Auf Lager2.070
DS1250YP-70IND+ Maxim Integrated	Speicher IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP Hersteller: Maxim Integrated Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 34-PowerCap™ Module Lieferantengerätepaket: 34-PowerCap Module	Auf Lager838
DS1258AB-100# Maxim Integrated	Speicher IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP Hersteller: Maxim Integrated Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 2Mb (128K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns Zugriffszeit: 100ns Spannung - Versorgung: 4.75V ~ 5.25V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) Lieferantengerätepaket: 40-EDIP	Auf Lager2.232
DS1258AB-100 Maxim Integrated	Speicher IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP Hersteller: Maxim Integrated Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 2Mb (128K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns Zugriffszeit: 100ns Spannung - Versorgung: 4.75V ~ 5.25V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) Lieferantengerätepaket: 40-EDIP	Auf Lager3.454
DS1258AB-70# Maxim Integrated	Speicher IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP Hersteller: Maxim Integrated Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 2Mb (128K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 4.75V ~ 5.25V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) Lieferantengerätepaket: 40-EDIP	Auf Lager8.154
DS1258AB-70 Maxim Integrated	Speicher IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP Hersteller: Maxim Integrated Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 2Mb (128K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 4.75V ~ 5.25V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) Lieferantengerätepaket: 40-EDIP	Auf Lager4.824
DS1258AB-70IND# Maxim Integrated	Speicher IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP Hersteller: Maxim Integrated Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 2Mb (128K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 4.75V ~ 5.25V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) Lieferantengerätepaket: 40-EDIP	Auf Lager5.796
DS1258W-100# Maxim Integrated	Speicher IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP Hersteller: Maxim Integrated Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 2Mb (128K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns Zugriffszeit: 100ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) Lieferantengerätepaket: 40-EDIP	Auf Lager8.568
DS1258W-100 Maxim Integrated	Speicher IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP Hersteller: Maxim Integrated Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 2Mb (128K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns Zugriffszeit: 100ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) Lieferantengerätepaket: 40-EDIP	Auf Lager7.884
DS1258W-100IND# Maxim Integrated	Speicher IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP Hersteller: Maxim Integrated Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 2Mb (128K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns Zugriffszeit: 100ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) Lieferantengerätepaket: 40-EDIP	Auf Lager6.606
DS1258W-150# Maxim Integrated	Speicher IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP Hersteller: Maxim Integrated Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 2Mb (128K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 150ns Zugriffszeit: 150ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) Lieferantengerätepaket: 40-EDIP	Auf Lager2.772
DS1258W-150 Maxim Integrated	Speicher IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP Hersteller: Maxim Integrated Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 2Mb (128K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 150ns Zugriffszeit: 150ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) Lieferantengerätepaket: 40-EDIP	Auf Lager3.454
DS1258Y-100# Maxim Integrated	Speicher IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP Hersteller: Maxim Integrated Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 2Mb (128K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns Zugriffszeit: 100ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) Lieferantengerätepaket: 40-EDIP	Auf Lager7.344
DS1258Y-100 Maxim Integrated	Speicher IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP Hersteller: Maxim Integrated Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 2Mb (128K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns Zugriffszeit: 100ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) Lieferantengerätepaket: 40-EDIP	Auf Lager3.672
DS1258Y-70# Maxim Integrated	Speicher IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP Hersteller: Maxim Integrated Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 2Mb (128K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) Lieferantengerätepaket: 40-EDIP	Auf Lager2.448
DS1258Y-70 Maxim Integrated	Speicher IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP Hersteller: Maxim Integrated Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 2Mb (128K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) Lieferantengerätepaket: 40-EDIP	Auf Lager2.196
DS1258Y-70IND# Maxim Integrated	Speicher IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP Hersteller: Maxim Integrated Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 2Mb (128K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) Lieferantengerätepaket: 40-EDIP	Auf Lager5.220
DS1265AB-100 Maxim Integrated	Speicher IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP Hersteller: Maxim Integrated Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 8Mb (1M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns Zugriffszeit: 100ns Spannung - Versorgung: 4.75V ~ 5.25V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket: 36-EDIP	Auf Lager2.736
DS1265AB-100+ Maxim Integrated	Speicher IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP Hersteller: Maxim Integrated Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 8Mb (1M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns Zugriffszeit: 100ns Spannung - Versorgung: 4.75V ~ 5.25V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket: 36-EDIP	Auf Lager7.524
DS1265AB-70+ Maxim Integrated	Speicher IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP Hersteller: Maxim Integrated Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 8Mb (1M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 4.75V ~ 5.25V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket: 36-EDIP	Auf Lager3.942
DS1265AB-70 Maxim Integrated	Speicher IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP Hersteller: Maxim Integrated Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 8Mb (1M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 4.75V ~ 5.25V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket: 36-EDIP	Auf Lager2.394
DS1265AB-70IND Maxim Integrated	Speicher IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP Hersteller: Maxim Integrated Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 8Mb (1M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 4.75V ~ 5.25V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket: 36-EDIP	Auf Lager4.500
DS1265AB-70IND+ Maxim Integrated	Speicher IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP Hersteller: Maxim Integrated Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 8Mb (1M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 4.75V ~ 5.25V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket: 36-EDIP	Auf Lager6.216
DS1265W-100 Maxim Integrated	Speicher IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP Hersteller: Maxim Integrated Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 8Mb (1M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns Zugriffszeit: 100ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket: 36-EDIP	Auf Lager1.822
DS1265W-100+ Maxim Integrated	Speicher IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP Hersteller: Maxim Integrated Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 8Mb (1M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns Zugriffszeit: 100ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket: 36-EDIP	Auf Lager56
DS1265W-100IND Maxim Integrated	Speicher IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP Hersteller: Maxim Integrated Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 8Mb (1M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns Zugriffszeit: 100ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket: 36-EDIP	Auf Lager4.023
DS1265W-100IND+ Maxim Integrated	Speicher IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP Hersteller: Maxim Integrated Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: NVSRAM Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße: 8Mb (1M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns Zugriffszeit: 100ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket: 36-EDIP	Auf Lager6.318

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