Speicher-ICs

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IDT71V67602S150BQ IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 150MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)	Auf Lager6.642
IDT71V67602S150BQ8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 150MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)	Auf Lager4.320
IDT71V67602S150BQI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 150MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)	Auf Lager6.678
IDT71V67602S150BQI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 150MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)	Auf Lager7.614
IDT71V67602S150PF IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 150MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager8.514
IDT71V67602S150PF8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 150MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager3.978
IDT71V67602S150PFI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 150MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager7.848
IDT71V67602S150PFI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 150MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager2.736
IDT71V67602S166BG IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 119-BGA Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)	Auf Lager5.868
IDT71V67602S166BG8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 119-BGA Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)	Auf Lager2.430
IDT71V67602S166BQ IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)	Auf Lager3.168
IDT71V67602S166BQ8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)	Auf Lager6.660
IDT71V67602S166BQG IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)	Auf Lager3.580
IDT71V67602S166BQG8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)	Auf Lager4.518
IDT71V67602S166BQGI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)	Auf Lager6.012
IDT71V67602S166BQGI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)	Auf Lager4.122
IDT71V67602S166BQI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)	Auf Lager8.496
IDT71V67602S166BQI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)	Auf Lager8.910
IDT71V67602S166PF IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager8.838
IDT71V67602S166PF8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager7.524
IDT71V67603S133PF IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager8.190
IDT71V67603S133PF8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager4.122
IDT71V67603S133PFI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager5.130
IDT71V67603S133PFI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager4.464
IDT71V67603S150PF IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 150MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager5.544
IDT71V67603S150PF8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 150MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager5.544
IDT71V67603S150PFI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 150MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager7.740
IDT71V67603S150PFI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 150MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager2.214
IDT71V67603S166PF IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager4.968
IDT71V67603S166PF8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager2.124

IDT71V67602S150BQ

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 150MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)

Auf Lager6.642

IDT71V67602S150BQ8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 150MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)

Auf Lager4.320

IDT71V67602S150BQI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 150MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)

Auf Lager6.678

IDT71V67602S150BQI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 150MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)

Auf Lager7.614

IDT71V67602S150PF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 150MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager8.514

IDT71V67602S150PF8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 150MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager3.978

IDT71V67602S150PFI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 150MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager7.848

IDT71V67602S150PFI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 150MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager2.736

IDT71V67602S166BG

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 119-BGA
Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

Auf Lager5.868

IDT71V67602S166BG8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 119-BGA
Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

Auf Lager2.430

IDT71V67602S166BQ

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)

Auf Lager3.168

IDT71V67602S166BQ8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)

Auf Lager6.660

IDT71V67602S166BQG

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)

Auf Lager3.580

IDT71V67602S166BQG8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)

Auf Lager4.518

IDT71V67602S166BQGI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)

Auf Lager6.012

IDT71V67602S166BQGI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)

Auf Lager4.122

IDT71V67602S166BQI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)

Auf Lager8.496

IDT71V67602S166BQI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)

Auf Lager8.910

IDT71V67602S166PF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager8.838

IDT71V67602S166PF8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager7.524

IDT71V67603S133PF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager8.190

IDT71V67603S133PF8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager4.122

IDT71V67603S133PFI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager5.130

IDT71V67603S133PFI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager4.464

IDT71V67603S150PF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 150MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager5.544

IDT71V67603S150PF8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 150MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager5.544

IDT71V67603S150PFI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 150MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager7.740

IDT71V67603S150PFI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 150MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager2.214

IDT71V67603S166PF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager4.968

IDT71V67603S166PF8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager2.124

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