Speicher-ICs

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IS46TR16128BL-15HBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager2.448
IS46TR16128C-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager5.958
IS46TR16128C-125KBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager2.142
IS46TR16128C-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager7.542
IS46TR16128C-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager8.568
IS46TR16128C-15HBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager3.526
IS46TR16128C-15HBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager6.642
IS46TR16128C-15HBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager2.178
IS46TR16128C-15HBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager8.208
IS46TR16128CL-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager7.776
IS46TR16128CL-125KBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager5.706
IS46TR16128CL-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager8.298
IS46TR16128CL-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager4.428
IS46TR16128CL-15HBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager7.074
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IS46TR16128CL-15HBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager3.562
IS46TR16128CL-15HBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager6.102
IS46TR16256A-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager3.562
IS46TR16256A-125KBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager4.896
IS46TR16256A-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager7.506
IS46TR16256A-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager5.904
IS46TR16256A-15HBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager7.632
IS46TR16256A-15HBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager2.502
IS46TR16256A-15HBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager5.526
IS46TR16256A-15HBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager6.192
IS46TR16256AL-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager3.654
IS46TR16256AL-125KBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager7.884
IS46TR16256AL-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager7.632
IS46TR16256AL-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager3.042
IS46TR16256AL-15HBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager1.375

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Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

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Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager2.142

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Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

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Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager6.642

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager2.178

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
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Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
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Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
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IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
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IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager4.896

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IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

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IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

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IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

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IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

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IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager5.526

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IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager6.192

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IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager3.654

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Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager7.884

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IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager7.632

IS46TR16256AL-125KBLA2-TR

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IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

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Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
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