Speicher-ICs

IS49NLS93200-25BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 288Mb (32M x 9)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLS93200-25WBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 288M PARALLEL 400MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 288Mb (32M x 9)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-TWBGA (11x18.5)

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IS49NLS93200-33B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 288Mb (32M x 9)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 300MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLS93200-33BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 288Mb (32M x 9)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 300MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLS93200-33BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 288Mb (32M x 9)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 300MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLS93200-33BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 288Mb (32M x 9)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 300MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLS93200-33WBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 288M PARALLEL 300MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 288Mb (32M x 9)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 300MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-TWBGA (11x18.5)

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IS49NLS96400-25B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (64M x 9)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLS96400-25BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (64M x 9)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLS96400-25BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (64M x 9)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLS96400-25BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (64M x 9)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLS96400-33B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (64M x 9)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 300MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLS96400-33BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (64M x 9)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 300MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLS96400-33BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (64M x 9)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 300MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLS96400-33BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (64M x 9)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 300MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLS96400A-25WBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 400MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (64M x 9)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-TWBGA (11x18.5)

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IS49NLS96400A-33WBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 300MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (64M x 9)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 300MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-TWBGA (11x18.5)

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IS49RL18320-093BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (32M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 1.066GHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 168-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

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IS49RL18320-093BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (32M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 1.066GHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 168-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

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IS49RL18320-093EBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (32M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 1.066GHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 8ns
• Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 168-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

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IS49RL18320-093EBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (32M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 1.066GHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 8ns
• Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 168-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

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IS49RL18320-107BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (32M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 933MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 168-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

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IS49RL18320-107BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (32M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 933MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 168-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

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IS49RL18320-107EBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (32M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 933MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 8ns
• Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 168-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

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IS49RL18320-107EBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (32M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 933MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 8ns
• Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 168-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

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IS49RL18320-125BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (32M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 800MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 12ns
• Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 168-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

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IS49RL18320-125BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (32M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 800MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 12ns
• Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 168-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

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IS49RL18320-125EBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (32M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 800MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 168-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

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IS49RL18320-125EBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (32M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 800MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 168-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

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IS49RL36160-093BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (16M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 1.066GHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 10ns
• Spannung - Versorgung: 1.28V ~ 1.42V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 168-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5)

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