Transistoren

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CDM4-600LR TR13 Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 4A 600V DPAK Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.59nC @ 10V Vgs (Max): 30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 328pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 38W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.556
CDM4-650 TR13 Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 4A 650V DPAK Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4nC @ 10V Vgs (Max): 30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 463pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 620mW (Ta), 77W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.542
CDM7-600LR TR13 Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 7A 600V DPAK Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 10V Vgs (Max): 30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 60W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.768
CDM7-650 TR13 Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 7A 650V DPAK Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V Vgs (Max): 30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 754pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.12W (Ta), 140W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.868
CEDM7001 BK Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT-883 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.57nC @ 4.5V Vgs (Max): 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9pF @ 3V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100mW (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-883 Paket / Fall: SC-101, SOT-883	Auf Lager6.624
CEDM7001 TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT-883 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.57nC @ 4.5V Vgs (Max): 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9pF @ 3V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100mW (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-883 Paket / Fall: SC-101, SOT-883	Auf Lager2.412
CEDM7001VL TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT883 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.57nC @ 4.5V Vgs (Max): 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9pF @ 3V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100mW (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-883VL Paket / Fall: SC-101, SOT-883	Auf Lager3.454
CEDM7002AE TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 60V 0.3A SOT883 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V Vgs (Max): 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100mW (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-883L Paket / Fall: SC-101, SOT-883	Auf Lager91.944
CEDM7004 BK Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 1.78A SOT-883 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.78A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.79nC @ 4.5V Vgs (Max): 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100mW (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-883 Paket / Fall: SC-101, SOT-883	Auf Lager8.388
CEDM7004 TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 8.0V 3.56A SOT-883 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.78A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.79nC @ 4.5V Vgs (Max): 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100mW (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-883 Paket / Fall: SC-101, SOT-883	Auf Lager4.014
CEDM7004VL TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 0.45A SOT883 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 450mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.79nC @ 4.5V Vgs (Max): 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100mW (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-883VL Paket / Fall: SC-101, SOT-883	Auf Lager6.948
CEDM8001 BK Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT-883 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.66nC @ 4.5V Vgs (Max): 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 3V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100mW (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-883 Paket / Fall: SC-101, SOT-883	Auf Lager7.020
CEDM8001 TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT-883 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.66nC @ 4.5V Vgs (Max): 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 3V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100mW (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-883 Paket / Fall: SC-101, SOT-883	Auf Lager6.120
CEDM8001VL TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT883 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.66nC @ 4.5V Vgs (Max): 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 3V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100mW (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-883VL Paket / Fall: SC-101, SOT-883	Auf Lager75.564
CEDM8004 BK Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 0.45A SOT883 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 450mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.88nC @ 4.5V Vgs (Max): 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100mW (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-883 Paket / Fall: SC-101, SOT-883	Auf Lager2.214
CEDM8004 TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 0.45A SOT883 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 450mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.88nC @ 4.5V Vgs (Max): 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100mW (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-883VL Paket / Fall: SC-101, SOT-883	Auf Lager6.480
CEDM8004VL TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 0.45A SOT883 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 450mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.88nC @ 4.5V Vgs (Max): 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100mW (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-883VL Paket / Fall: SC-101, SOT-883	Auf Lager7.326
CMF10120D Cree/Wolfspeed	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 24A TO247 Hersteller: Cree/Wolfspeed Serie: Z-FET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1nC @ 20V Vgs (Max): +25V, -5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 928pF @ 800V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 134W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 135°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager5.346
CMF20120D Cree/Wolfspeed	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 42A TO-247-3 Hersteller: Cree/Wolfspeed Serie: Z-FET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: SiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 42A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.8nC @ 20V Vgs (Max): +25V, -5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1915pF @ 800V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 215W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 135°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager7.776
CMLDM7120G TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 1A SOT563 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V Vgs (Max): 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-563 Paket / Fall: SOT-563, SOT-666	Auf Lager3.402
CMLDM8120G TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 860mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.56nC @ 4.5V Vgs (Max): 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 350mW (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-563 Paket / Fall: SOT-563, SOT-666	Auf Lager4.950
CMLDM8120 TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 860mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.56nC @ 4.5V Vgs (Max): 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-563 Paket / Fall: SOT-563, SOT-666	Auf Lager4.878
CMPDM202PH BK Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V SOT-23F Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 1.2A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V Vgs (Max): 12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 350mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23F Paket / Fall: SOT-23-3 Flat Leads	Auf Lager7.344
CMPDM202PH TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT-23F Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 1.2A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V Vgs (Max): 12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 350mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23F Paket / Fall: SOT-23-3 Flat Leads	Auf Lager8.226
CMPDM203NH BK Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V SOT-23F Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 1.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (Max): 12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 350mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23F Paket / Fall: SOT-23-3 Flat Leads	Auf Lager8.640
CMPDM203NH TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23F Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 1.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (Max): 12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 350mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23F Paket / Fall: SOT-23-3 Flat Leads	Auf Lager3.258
CMPDM302PH BK Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V SOT-23F Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V Vgs (Max): 12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 350mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23F Paket / Fall: SOT-23-3 Flat Leads	Auf Lager3.312
CMPDM302PH TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT-23F Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 5V Vgs (Max): 12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 350mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23F Paket / Fall: SOT-23-3 Flat Leads	Auf Lager7.272
CMPDM303NH BK Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V SOT-23F Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 1.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (Max): 12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 350mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23F Paket / Fall: SOT-23-3 Flat Leads	Auf Lager2.646
CMPDM303NH TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23F Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 1.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (Max): 12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 350mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23F Paket / Fall: SOT-23-3 Flat Leads	Auf Lager3.924

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