Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 1109/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
CSD25485F5 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single 20V P-CHANNEL FEMTOFET Hersteller: Serie: FemtoFET™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 900mA, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V Vgs (Max): -12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 533pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-PICOSTAR Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager142.122
CSD25485F5T Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single CSD25485F5T Hersteller: Serie: FemtoFET™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 900mA, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V Vgs (Max): -12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 533pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-PICOSTAR Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager52.410
CSD25501F3 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single 20V P CH MOSFET Hersteller: Serie: FemtoFET™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.33nC @ 4.5V Vgs (Max): -20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 385pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-LGA (0.73x0.64) Paket / Fall: 3-XFLGA	Auf Lager6.426
CSD25501F3T Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single 20-V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET Hersteller: Serie: FemtoFET™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.33nC @ 4.5V Vgs (Max): -20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 385pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-LGA (0.73x0.64) Paket / Fall: 3-XFLGA	Auf Lager28.242
CTLDM3590 TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 0.16A TLM3D6D8 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 160mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.46nC @ 4.5V Vgs (Max): 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 125mW (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TLM3D6D8 Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager2.574
CTLDM7002A-M621 BK Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V DFN6 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 280mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.592nC @ 4.5V Vgs (Max): 40V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 900mW (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TLM621 Paket / Fall: 6-PowerVFDFN	Auf Lager3.042
CTLDM7002A-M621 TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V DFN6 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 280mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.592nC @ 4.5V Vgs (Max): 40V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 900mW (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TLM621 Paket / Fall: 6-PowerVFDFN	Auf Lager6.444
CTLDM7003-M621 BK Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 50V DFN6 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 280mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.764nC @ 4.5V Vgs (Max): 12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 900mW (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TLM621 Paket / Fall: 6-PowerVFDFN	Auf Lager7.758
CTLDM7003-M621 TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 50V DFN6 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 280mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.764nC @ 4.5V Vgs (Max): 12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 900mW (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TLM621 Paket / Fall: 6-PowerVFDFN	Auf Lager8.874
CTLDM7120-M621H BK Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V DFN6 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V Vgs (Max): 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TLM621H Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad	Auf Lager5.436
CTLDM7120-M621H TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 1A Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V Vgs (Max): 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TLM621H Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad	Auf Lager6.048
CTLDM7590 TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 0.14A TLM3D6D8 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 140mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V Vgs (Max): 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 125mW (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TLM3D6D8 Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager2.100
CTLDM8002A-M621 BK Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 50V DFN6 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 280mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V Vgs (Max): 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 900mW (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TLM621 Paket / Fall: 6-PowerVFDFN	Auf Lager2.484
CTLDM8002A-M621H BK Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 50V DFN6 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 280mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V Vgs (Max): 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TLM621H Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad	Auf Lager3.528
CTLDM8002A-M621H TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 50V DFN6 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 280mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V Vgs (Max): 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TLM621H Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad	Auf Lager4.644
CTLDM8002A-M621 TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 50V DFN6 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 280mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V Vgs (Max): 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 900mW (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TLM621 Paket / Fall: 6-PowerVFDFN	Auf Lager3.276
CTLDM8120-M621H BK Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V DFN6 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 950mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.56nC @ 4.5V Vgs (Max): 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TLM621H Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad	Auf Lager6.804
CTLDM8120-M621H TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V DFN6 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 950mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.56nC @ 4.5V Vgs (Max): 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TLM621H Paket / Fall: 6-XFDFN Exposed Pad	Auf Lager4.266
CWDM3011N TR13 Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 5V Vgs (Max): 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOIC Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager8.982
CWDM3011P TR13 Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (Max): 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3100pF @ 8V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOIC Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager4.536
CWDM305N TR13 Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SOIC Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 5V Vgs (Max): 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOIC Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager2.430
CWDM305P TR13 Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 16V 5.3A 8SOIC Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V Vgs (Max): 16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOIC Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager6.516
CXDM1002N TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 5V Vgs (Max): 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-89 Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager22.158
CXDM3069N TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (Max): 12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-89 Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager6.336
CXDM4060N TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 6A SOT-89 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (Max): 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 730pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-89 Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager13.902
CXDM4060P TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 40V 6A SOT-89 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V Vgs (Max): 25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-89 Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager14.340
CXDM6053N TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 5V Vgs (Max): 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-89 Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager8.766
CZDM1003N BK Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager8.208
CZDM1003N TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager8.172
DI9400T Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOP Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SMD, Gull Wing	Auf Lager3.042

«
‹
1
...
1106
1107
1108
1109 (current)
1110
1111
1112
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message