Transistoren

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DMN10H120SFG-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 549pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8 Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager7.866
DMN10H120SFG-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 549pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8 Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager23.394
DMN10H170SFDE-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1167pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 660mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: U-DFN2020-6 (Type E) Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad	Auf Lager8.334
DMN10H170SFDE-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1167pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 660mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: U-DFN2020-6 (Type E) Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad	Auf Lager11.112
DMN10H170SFG-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 940mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8 Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager24.384
DMN10H170SFG-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 940mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8 Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager3.798
DMN10H170SFGQ-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI33 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager2.100
DMN10H170SFGQ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI33 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager3.508
DMN10H170SK3-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 12A TO252 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1167pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 42W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252-3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager68.496
DMN10H170SK3Q-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHAN 61V 100V TO252 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1167pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 42W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.688
DMN10H170SVT-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1167pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSOT-26 Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager7.560
DMN10H170SVT-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1167pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSOT-26 Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager26.178
DMN10H170SVTQ-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V TSOT26 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1167pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSOT-26 Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager5.418
DMN10H170SVTQ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1167pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSOT-26 Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager3.798
DMN10H220L-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 401pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager3.798
DMN10H220L-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 401pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager3.770.196
DMN10H220LE-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 401pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager21.954
DMN10H220LK3-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager4.194
DMN10H220LQ-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 401pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager8.694
DMN10H220LQ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 401pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager5.598
DMN10H220LVT-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.87A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 401pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.67W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSOT-26 Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager5.670
DMN10H220LVT-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.87A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 401pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.67W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSOT-26 Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager4.392
DMN10H700S-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 100V 700MA SOT23 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 700mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 50V FET-Funktion: Standard Verlustleistung (max.): 400mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager5.400
DMN10H700S-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHA 100V 700MA SOT23 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 700mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 400mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager93.738
DMN1150UFB-7B Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.41A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 106pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 3-DFN1006 (1.0x0.6) Paket / Fall: 3-UFDFN	Auf Lager8.635
DMN1260UFA-7B Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 12V 0.5A X2DFN-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 366mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.96nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: X2-DFN0806-3 Paket / Fall: 3-XFDFN	Auf Lager3.562
DMN12M7UCA10-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN3015- Hersteller: Diodes Incorporated Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager4.788
DMN13H750S-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 130V 1A SOT23 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 130V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 231pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 770mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager8.622
DMN13H750S-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 130V 1A SOT23 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 130V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 231pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 770mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager57.204
DMN15H310SE-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 2A SOT223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta), 7.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.9W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager86.646

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