Transistoren

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DMT3006LFG-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 30V 16A POWERDI Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Ta), 55.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1320pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 27.8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8 Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager2.376
DMT3006LFG-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Ta), 55.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1320pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 27.8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8 Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager22.380
DMT3006LFV-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1155pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8 Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager8.784
DMT3006LFV-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1155pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8 Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager5.022
DMT3006LFVQ-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1155pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8 (Type UX) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager5.202
DMT3006LFVQ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1155pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8 (Type UX) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager2.610
DMT3006LPB-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI506 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager4.212
DMT3006LPS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Ta), 65A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1320pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager3.618
DMT3008LFDF-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 12A Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 886pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 800mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: U-DFN2020-6 (Type F) Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad	Auf Lager8.010
DMT3008LFDF-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 12A Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 886pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 800mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: U-DFN2020-6 (Type F) Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad	Auf Lager4.752
DMT3009LFVW-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta), 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3.8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 823pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount, Wettable Flank Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8 (Type UX) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager4.338
DMT3009LFVW-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta), 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3.8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 823pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount, Wettable Flank Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8 (Type UX) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager7.020
DMT3009LFVWQ-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta), 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3.8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 823pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.3W (Ta), 35.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount, Wettable Flank Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager4.914
DMT3009LFVWQ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta), 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3.8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 823pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.3W (Ta), 35.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount, Wettable Flank Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager2.682
DMT3020LFCL-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 7.6A UDFN1616-6 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.7W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: U-DFN1616-6 Paket / Fall: 6-UFDFN Exposed Pad	Auf Lager8.118
DMT3020LFDF-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET NCH 30V 8.4A UDFN2020 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700mW (Ta), 1.8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: U-DFN2020-6 (Type F) Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad	Auf Lager7.920
DMT3020LFDF-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHA 30V 8.4A DFN2020 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700mW (Ta), 1.8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: U-DFN2020-6 (Type B) Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad	Auf Lager46.782
DMT3020LFVW-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 38A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8 Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager3.636
DMT30M9LPS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI506 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager5.004
DMT31M6LPS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 35.8A POWERDI506 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 35.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7019pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager2.664
DMT31M7LPS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI506 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5741pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta), 113W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager2.034
DMT32M5LFG-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4066pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8 Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager8.568
DMT32M5LFG-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4066pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8 Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager3.400
DMT32M5LPS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 150A POWERDI5060 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 150A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3944pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager3.708
DMT34M1LPS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 100A POWERDI5060 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2242pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 42W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager7.038
DMT34M2LPS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager8.730
DMT35M7LFV-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 76A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1667pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.98W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8 (Type UX) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager2.610
DMT35M7LFV-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 76A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1667pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.98W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI3333-8 (Type UX) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager7.092
DMT36M1LPS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 65A POWERDI5060 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 65A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1155pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.6W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager24.426
DMT4001LPS-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager5.562

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