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EPC8010 EPC	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single GAN TRANS 100V 2.7A BUMPED DIE Hersteller: EPC Serie: eGaN® FET-Typ: N-Channel Technologie: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48nC @ 5V Vgs (Max): +6V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Die Paket / Fall: Die	Auf Lager1.642
ES6U1T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 6V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 700mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-WEMT Paket / Fall: SOT-563, SOT-666	Auf Lager61.992
ES6U2T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 700mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-WEMT Paket / Fall: SOT-563, SOT-666	Auf Lager6.696
ES6U3T2CR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 10V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 700mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-WEMT Paket / Fall: SOT-563, SOT-666	Auf Lager2.322
ES6U41T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 1.5A WEMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.): 700mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-WEMT Paket / Fall: SOT-563, SOT-666	Auf Lager2.880
ES6U42T2R Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 1A WEMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V FET-Funktion: Schottky Diode (Body) Verlustleistung (max.): 700mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-WEMT Paket / Fall: SOT-563, SOT-666	Auf Lager5.814
FA38SA50LC Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227 Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 38A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 420nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6900pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227 Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager4.482
FA57SA50LC Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 57A SOT-227 Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 57A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 338nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 625W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227 Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager66
FB180SA10 Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227 Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 108A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 480W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227 Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager7.722
FCA16N60 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 16A TO-3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 167W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager5.292
FCA16N60_F109 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 16A TO-3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 167W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager8.046
FCA16N60N ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V TO-3PN Hersteller: ON Semiconductor Serie: SupreMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.3nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2170pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 134.4W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager4.122
FCA20N60 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3080pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 208W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager3.544
FCA20N60F ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3080pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 208W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager9.024
FCA20N60-F109 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3080pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 208W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager7.056
FCA20N60FS ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3080pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 208W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager6.210
FCA22N60N ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 22A TO-3PN Hersteller: ON Semiconductor Serie: SupreMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1950pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 205W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager6.984
FCA35N60 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 35A TO-3PN Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6640pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 312.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager9.720
FCA36N60NF ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 34.9A TO3PN Hersteller: ON Semiconductor Serie: FRFET®, SuperFET® II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 34.9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4245pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 312W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager9.816
FCA47N60 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 47A TO-3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 47A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 417W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager8.988
FCA47N60F ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 47A TO-3PN Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 47A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 23.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 417W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager9.144
FCA47N60-F109 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 47A TO-3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 47A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 417W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager6.102
FCA47N60F_SN00171 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH TO-3PN Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 47A Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 23.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 417W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager8.946
FCA76N60N ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 76A TO-3PN Hersteller: ON Semiconductor Serie: SupreMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 76A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12385pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 543W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3PN Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager18.576
FCB070N65S3 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET® III FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3090pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 312W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D²PAK (TO-263AB) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager15.912
FCB110N65F ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: FRFET®, SuperFET® II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4895pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 357W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D²PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager7.092
FCB11N60FTM ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1490pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D²PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager2.466
FCB11N60TM ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1490pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D²PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager7.830
FCB199N65S3 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: SuperFET® III FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1225pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 98W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D²PAK (TO-263) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager8.856
FCB20N60-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, SuperFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3080pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 341W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263AB Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager3.582

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