Transistoren

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FDD86367-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 100A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4840pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 227W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-PAK (TO-252) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager20.274
FDD86369 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHANNEL 80V 90A TO252 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2530pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-PAK (TO-252) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.084
FDD86369-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 90A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2530pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-PAK (TO-252) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.352
FDD86380-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 50A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 75W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-PAK (TO-252AA) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager68.640
FDD86381-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 25A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 866pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 48.4W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-PAK (TO-252AA) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager6.282
FDD8647L ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 14A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Ta), 42A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1640pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta), 43W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-PAK (TO-252) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager21.666
FDD86540 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 21.5A (Ta), 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 21.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6340pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta), 127W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-PAK (TO-252) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.086
FDD86561-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 45A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager7.794
FDD86567-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 100A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4950pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 227W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-PAK (TO-252) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager41.718
FDD86569-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 90A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2520pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-PAK (TO-252) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.490
FDD86580-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 50A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 75W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-Pak Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.976
FDD86581-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHANNEL 60V 25A TO252 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 48.4W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-PAK (TO-252) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.664
FDD8750 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 6.5A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.5A (Ta), 2.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 425pF @ 13V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 18W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-PAK (TO-252) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.650
FDD8770 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 35A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3720pF @ 13V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 115W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252AA Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.436
FDD8778 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 35A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 845pF @ 13V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 39W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252AA Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager52.974
FDD8780 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 35A TO-252AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 13V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252AA Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.544
FDD8782 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 35A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 13V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252AA Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.544
FDD8796 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 35A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2610pF @ 13V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 88W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252AA Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager3.888
FDD8870 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 21A (Ta), 160A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5160pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 160W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252AA Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager90.504
FDD8870-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 21A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 21A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5160pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 160W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252AA Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.290
FDD8874 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 116A D-PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Ta), 116A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2990pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 110W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252AA Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.112
FDD8876 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 73A D-PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Ta), 73A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 70W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252AA Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager46.932
FDD8878 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 40A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Ta), 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252AA Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager23.628
FDD8880 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 58A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Ta), 58A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 55W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252AA Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.554
FDD8882 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 55A D-PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12.6A (Ta), 55A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 55W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252AA Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.496
FDD8896 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 94A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Ta), 94A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2525pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 80W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252AA Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager350.676
FDD8896-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 94A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Ta), 94A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2525pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 80W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252AA Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.172
FDD8N50NZTM ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: UniFET-II™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 735pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 90W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.104
FDD9407-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 100A TO252 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6390pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 227W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-PAK (TO-252) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager25.488
FDD9407L-F085 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 100A Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 227W (Tj) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D-PAK (TO-252) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.302

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