Transistoren

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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
FQU7P06TU_NB82048 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V 5.4A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 451mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 295pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager8.316
FQU7P20TU ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 200V 5.7A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager4.248
FQU7P20TU_AM002 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 200V 5.7A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager4.788
FQU8N25TU ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 6.2A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager2.286
FQU8P10TU ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 44W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager36.540
FQU9N25TU ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 55W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager49.710
GA03JT12-247 GeneSiC Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB Hersteller: GeneSiC Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Tc) (95°C) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 3A Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 15W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247AB Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager2.556
GA04JT17-247 GeneSiC Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB Hersteller: GeneSiC Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Tc) (95°C) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4A Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 106W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247AB Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager8.172
GA05JT01-46 GeneSiC Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single TRANS SJT 100V 9A Hersteller: GeneSiC Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5A Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 20W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 225°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-46 Paket / Fall: TO-46-3	Auf Lager6.156
GA05JT03-46 GeneSiC Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single TRANS SJT 300V 9A Hersteller: GeneSiC Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss): 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5A Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 20W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 225°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-46 Paket / Fall: TO-46-3	Auf Lager4.752
GA05JT12-247 GeneSiC Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single TRANS SJT 1200V 5A Hersteller: GeneSiC Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5A Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 106W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247AB Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager4.896
GA05JT12-263 GeneSiC Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single TRANS SJT 1200V 15A Hersteller: GeneSiC Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 106W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK (7-Lead) Paket / Fall: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	Auf Lager20.400
GA06JT12-247 GeneSiC Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB Hersteller: GeneSiC Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc) (90°C) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 6A Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247AB Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager4.194
GA08JT17-247 GeneSiC Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single TRANS SJT 1700V 8A TO-247AB Hersteller: GeneSiC Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Tc) (90°C) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8A Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 48W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247AB Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager14.616
GA100JT12-227 GeneSiC Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single TRANS SJT 1200V 160A SOT227 Hersteller: GeneSiC Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 160A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14400pF @ 800V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 535W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227 Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager8.334
GA100JT17-227 GeneSiC Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single TRANS SJT 1700V 160A SOT227 Hersteller: GeneSiC Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 160A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14400pF @ 800V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 535W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Lieferantengerätepaket: SOT-227 Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC	Auf Lager8.694
GA10JT12-247 GeneSiC Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single TRANS SJT 1.2KV 10A Hersteller: GeneSiC Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10A Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 170W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247AB Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager7.020
GA10JT12-263 GeneSiC Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single TRANS SJT 1200V 25A Hersteller: GeneSiC Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 10A Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1403pF @ 800V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 170W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager17.196
GA10SICP12-263 GeneSiC Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single TRANS SJT 1200V 25A TO263-7 Hersteller: GeneSiC Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1403pF @ 800V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 170W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK (7-Lead) Paket / Fall: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	Auf Lager8.496
GA16JT17-247 GeneSiC Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single TRANS SJT 1700V 16A TO-247AB Hersteller: GeneSiC Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Tc) (90°C) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 16A Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 282W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247AB Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager8.460
GA20JT12-247 GeneSiC Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single TRANS SJT 1.2KV 20A Hersteller: GeneSiC Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 282W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247AB Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager2.862
GA20JT12-263 GeneSiC Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single TRANS SJT 1200V 45A Hersteller: GeneSiC Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 45A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 20A Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3091pF @ 800V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 282W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK (7-Lead) Paket / Fall: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	Auf Lager7.794
GA20SICP12-247 GeneSiC Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single TRANS SJT 1200V 45A TO247 Hersteller: GeneSiC Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 45A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3091pF @ 800V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 282W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247AB Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager7.074
GA50JT06-258 GeneSiC Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single TRANS SJT 600V 100A Hersteller: GeneSiC Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 769W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 225°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-258 Paket / Fall: TO-258-3, TO-258AA	Auf Lager6.300
GA50JT12-247 GeneSiC Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single TRANS SJT 1.2KV 50A Hersteller: GeneSiC Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7209pF @ 800V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 583W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247AB Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager6.024
GA50JT12-263 GeneSiC Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7 Hersteller: GeneSiC Semiconductor Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager3.562
GA50JT17-247 GeneSiC Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single TRANS SJT 1.7KV 100A Hersteller: GeneSiC Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 50A Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 583W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager2.358
GKI03026 Sanken	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 22A 8DFN Hersteller: Sanken Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 68A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4010pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta), 77W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-DFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager3.580
GKI03039 Sanken	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN Hersteller: Sanken Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 47.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 650µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2460pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta), 59W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-DFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager5.904
GKI03061 Sanken	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 26A 8DFN Hersteller: Sanken Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 31A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 350µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1480pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta), 46W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-DFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager2.196

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