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IPC60R3K3C6X1SA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH BARE DIE Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager3.114
IPC60R520E6UNSAWNX6SA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH BARE DIE Hersteller: Infineon Technologies Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager3.024
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IPC60R600E6X1SA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH BARE DIE Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager2.016
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IPC65R037C6X1SA2 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH BARE DIE Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager4.518
IPC65R041CFDX1SA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH BARE DIE Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager7.434
IPC65R070C6X1SA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH BARE DIE Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager4.500
IPC65R080CFDX1SA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH BARE DIE Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager2.862
IPC70N04S54R6ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34 Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-34 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager51.726
IPC70N04S5L4R2ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34 Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-34 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager4.950
IPC80N04S403ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 8TDSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5720pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-23 Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager2.430
IPC90N04S53R6ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 90A 8TDSON-34 Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.4V @ 23µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1950pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 63W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-34 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager3.960
IPC90N04S5L3R3ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 90A 8TDSON-34 Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2145pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 62W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-34 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager4.230
IPC90R120C3X1SA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH BARE DIE Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager5.022

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