Transistoren

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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
IXFK33N50 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 33A TO-264AA Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 33A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 16.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 416W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager6.246
IXFK34N80 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 34A TO-264AA Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 34A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 560W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager2.304
IXFK35N50 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 35A TO-264AA Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 416W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager7.596
IXFK360N10T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 360A TO-264 Hersteller: IXYS Serie: GigaMOS™ HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 360A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 525nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 33000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1250W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager8.820
IXFK360N15T2 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 360A TO264 Hersteller: IXYS Serie: GigaMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 360A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 715nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 47500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1670W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager10.464
IXFK36N60 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 36A TO-264AA Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 36A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 325nC @ 25V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager6.210
IXFK36N60P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 36A TO-264 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 36A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 650W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager2.196
IXFK38N80Q2 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 38A TO-264 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 38A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8340pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 735W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager5.598
IXFK400N15X3 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET 150V 400A TO-264 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 400A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 200A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 365nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 23.7nF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1250W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264 Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager6.744
IXFK40N90P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH TO-264 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarP2™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 960W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager4.392
IXFK420N10T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 420A TO-264 Hersteller: IXYS Serie: GigaMOS™ HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 420A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 670nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 47000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1670W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager5.094
IXFK44N50 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 44A TO-264AA Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager6.984
IXFK44N50F IXYS-RF	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 44A TO264 Hersteller: IXYS-RF Serie: HiPerRF™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264 (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager3.598
IXFK44N50P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 44A TO-264 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5440pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 658W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager5.310
IXFK44N50Q IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 44A TO-264AA Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager4.986
IXFK44N55Q IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 550V 44A 0TO-264 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 550V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager8.064
IXFK44N60 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 44A TO-264AA Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8900pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 560W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager6.876
IXFK44N80P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 44A TO-264 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1040W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager13.080
IXFK44N80Q3 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 44A TO-264 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9840pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1250W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager4.158
IXFK48N50 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 48A TO-264AA Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 48A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager4.698
IXFK48N50Q IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 48A TO-264 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 48A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager8.136
IXFK48N55 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 550V 48A TO-264AA Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 550V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 48A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8900pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 560W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager5.886
IXFK48N60P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 48A TO-264 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 48A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8860pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 830W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager6.732
IXFK48N60Q3 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 48A TO-264 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 48A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7020pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1000W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager4.392
IXFK50N50 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 50A TO-264AA Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 560W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager5.886
IXFK50N85X IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single 850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 850V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4480pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 890W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264 Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager4.230
IXFK520N075T2 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 520A TO-264 Hersteller: IXYS Serie: GigaMOS™, TrenchT2™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 520A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 41000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1250W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager5.760
IXFK52N100X IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET 1KV 52A ULTRA JCT TO-264 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 52A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6725pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1250W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264 Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager8.334
IXFK52N30Q IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 300V 52A TO-264AA Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 52A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5300pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager8.730
IXFK52N60Q2 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 52A TO-264 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 52A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 735W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-264AA (IXFK) Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager7.632

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