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Transistoren

Datensätze 64.903
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Beschreibung
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IXFR34N80
IXFR34N80

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: HiPerFET™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 28A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 17A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7500pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 416W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: ISOPLUS247™
  • Paket / Fall: ISOPLUS247™
Auf Lager5.256
IXFR36N50P
IXFR36N50P

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: HiPerFET™, PolarHT™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 19A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 18A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5500pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 156W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: ISOPLUS247™
  • Paket / Fall: ISOPLUS247™
Auf Lager8.982
IXFR36N60P
IXFR36N60P

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: HiPerFET™, PolarHT™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 18A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5800pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 208W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: ISOPLUS247™
  • Paket / Fall: ISOPLUS247™
Auf Lager4.266
IXFR38N80Q2

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: HiPerFET™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 28A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 19A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8340pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 416W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: ISOPLUS247™
  • Paket / Fall: ISOPLUS247™
Auf Lager7.722
IXFR40N50Q2

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 29A ISOPLUS247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: HiPerFET™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 29A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4200pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 320W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: ISOPLUS247™
  • Paket / Fall: ISOPLUS247™
Auf Lager3.690
IXFR40N90P
IXFR40N90P

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH ISOPLUS247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: HiPerFET™, PolarP2™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 900V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 21A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 300W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: ISOPLUS247™
  • Paket / Fall: ISOPLUS247™
Auf Lager8.712
IXFR44N50P
IXFR44N50P

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: HiPerFET™, PolarHT™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 22A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5440pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 208W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: ISOPLUS247™
  • Paket / Fall: ISOPLUS247™
Auf Lager4.788
IXFR44N50Q
IXFR44N50Q

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 34A ISOPLUS247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: HiPerFET™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 34A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 310W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: ISOPLUS247™
  • Paket / Fall: ISOPLUS247™
Auf Lager4.392
IXFR44N50Q3

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 25A ISOPLUS247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: HiPerFET™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 154mOhm @ 22A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 300W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: ISOPLUS247™
  • Paket / Fall: TO-247-3
Auf Lager6.336
IXFR44N60
IXFR44N60

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: HiPerFET™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 38A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 22A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8900pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 400W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: ISOPLUS247™
  • Paket / Fall: ISOPLUS247™
Auf Lager7.848
IXFR44N80P
IXFR44N80P

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: HiPerFET™, PolarHT™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 22A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12000pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 300W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: ISOPLUS247™
  • Paket / Fall: ISOPLUS247™
Auf Lager8.946
IXFR48N50Q
IXFR48N50Q

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 40A ISOPLUS247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: HiPerFET™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 24A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 310W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: ISOPLUS247™
  • Paket / Fall: ISOPLUS247™
Auf Lager2.214
IXFR48N60P
IXFR48N60P

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: HiPerFET™, PolarHT™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 32A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 24A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8860pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 300W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: ISOPLUS247™
  • Paket / Fall: ISOPLUS247™
Auf Lager3.042
IXFR48N60Q3

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: HiPerFET™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 32A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 154mOhm @ 24A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7020pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 500W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: ISOPLUS247™
  • Paket / Fall: TO-247-3
Auf Lager5.382
IXFR4N100Q
IXFR4N100Q

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 1KV 3.5A ISOPLUS247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: HiPerFET™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 80W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: ISOPLUS247™
  • Paket / Fall: ISOPLUS247™
Auf Lager6.894
IXFR50N50
IXFR50N50

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 43A ISOPLUS247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: HiPerFET™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 43A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9400pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 400W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: ISOPLUS247™
  • Paket / Fall: ISOPLUS247™
Auf Lager3.526
IXFR52N30Q
IXFR52N30Q

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 300V ISOPLUS247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 300V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (Max): -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: ISOPLUS247™
  • Paket / Fall: ISOPLUS247™
Auf Lager2.988
IXFR55N50
IXFR55N50

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 48A ISOPLUS247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: HiPerFET™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 48A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9400pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 400W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: ISOPLUS247™
  • Paket / Fall: ISOPLUS247™
Auf Lager2.556
IXFR58N20
IXFR58N20

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: HiPerFET™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 29A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 300W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: ISOPLUS247™
  • Paket / Fall: ISOPLUS247™
Auf Lager3.060
IXFR64N50P
IXFR64N50P

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 35A ISOPLUS247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: HiPerFET™, PolarHT™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 35A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8700pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 300W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: ISOPLUS247™
  • Paket / Fall: ISOPLUS247™
Auf Lager5.796
IXFR64N50Q3

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: HiPerFET™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 45A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6950pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 500W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: ISOPLUS247™
  • Paket / Fall: TO-247-3
Auf Lager8.298
IXFR64N60P
IXFR64N60P

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V 36A ISOPLUS247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: HiPerFET™, PolarHT™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 36A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 32A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12000pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 320W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: ISOPLUS247™
  • Paket / Fall: ISOPLUS247™
Auf Lager5.958
IXFR64N60Q3

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V 42A ISOPLUS247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: HiPerFET™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 42A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 32A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9930pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 568W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: ISOPLUS247™
  • Paket / Fall: TO-247-3
Auf Lager6.102
IXFR66N50Q2

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: HiPerFET™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 33A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9125pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 500W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: ISOPLUS247™
  • Paket / Fall: ISOPLUS247™
Auf Lager6.894
IXFR70N15
IXFR70N15

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 150V 67A ISOPLUS247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: HiPerFET™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 67A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 35A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 250W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: ISOPLUS247™
  • Paket / Fall: ISOPLUS247™
Auf Lager4.392
IXFR75N10Q
IXFR75N10Q

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 100V ISOPLUS247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (Max): -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: ISOPLUS247™
  • Paket / Fall: ISOPLUS247™
Auf Lager3.852
IXFR80N10Q
IXFR80N10Q

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 100V 76A ISOPLUS247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: HiPerFET™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 76A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 76A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 310W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: ISOPLUS247™
  • Paket / Fall: ISOPLUS247™
Auf Lager6.714
IXFR80N15Q
IXFR80N15Q

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 150V 75A ISOPLUS247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: HiPerFET™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4600pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 310W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: ISOPLUS247™
  • Paket / Fall: ISOPLUS247™
Auf Lager6.390
IXFR80N20Q
IXFR80N20Q

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 200V 71A ISOPLUS247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: HiPerFET™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 71A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 80A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4600pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 310W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: ISOPLUS247™
  • Paket / Fall: ISOPLUS247™
Auf Lager3.870
IXFR80N50P
IXFR80N50P

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: HiPerFET™, PolarHT™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 45A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12700pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 360W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: ISOPLUS247™
  • Paket / Fall: ISOPLUS247™
Auf Lager5.994