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Transistoren

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Beschreibung
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NTD78N03-001
NTD78N03-001

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 25V 11.4A IPAK

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.4A (Ta), 78A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 78A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 12V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta), 64W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: I-PAK
  • Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Auf Lager3.906
NTD78N03-035
NTD78N03-035

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 25V 11.4A IPAK

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.4A (Ta), 78A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 78A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 12V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta), 64W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: I-PAK
  • Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Auf Lager7.686
NTD78N03-1G
NTD78N03-1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 25V 11.4A IPAK

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.4A (Ta), 78A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 78A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 12V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta), 64W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: I-PAK
  • Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Auf Lager6.840
NTD78N03-35G
NTD78N03-35G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 25V 11.4A IPAK

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.4A (Ta), 78A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 78A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 12V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta), 64W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: I-PAK
  • Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Auf Lager7.866
NTD78N03G
NTD78N03G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 25V 11.4A DPAK

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.4A (Ta), 78A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 78A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 12V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta), 64W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: DPAK
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager5.598
NTD78N03T4
NTD78N03T4

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 25V 11.4A DPAK

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.4A (Ta), 78A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 78A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 12V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta), 64W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: DPAK
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager7.074
NTD78N03T4G
NTD78N03T4G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 25V 11.4A DPAK

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.4A (Ta), 78A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 78A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 12V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta), 64W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: DPAK
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager2.322
NTD80N02
NTD80N02

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 24V 80A DPAK

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 75W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: DPAK
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager3.222
NTD80N02-001
NTD80N02-001

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 24V 80A IPAK

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 75W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: I-PAK
  • Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Auf Lager4.554
NTD80N02-1G
NTD80N02-1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 24V 80A IPAK

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 75W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: I-PAK
  • Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Auf Lager5.580
NTD80N02G
NTD80N02G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 24V 80A DPAK

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 75W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: DPAK
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager7.344
NTD80N02T4
NTD80N02T4

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 24V 80A DPAK

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 75W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: DPAK
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager5.076
NTD80N02T4G
NTD80N02T4G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 24V 80A DPAK

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 80A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 75W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: DPAK
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager6.300
NTD85N02R
NTD85N02R

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 24V 12A DPAK

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta), 85A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7nC @ 5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2050pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta), 78.1W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: DPAK
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager5.742
NTD85N02R-001
NTD85N02R-001

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 24V 12A IPAK

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta), 85A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7nC @ 5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2050pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta), 78.1W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: I-PAK
  • Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Auf Lager7.452
NTD85N02R-1G
NTD85N02R-1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 24V 12A IPAK

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta), 85A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7nC @ 5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2050pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta), 78.1W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: I-PAK
  • Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Auf Lager5.022
NTD85N02RG
NTD85N02RG

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 24V 12A DPAK

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta), 85A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7nC @ 5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2050pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta), 78.1W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: DPAK
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager5.706
NTD85N02RT4
NTD85N02RT4

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 24V 12A DPAK

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta), 85A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7nC @ 5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2050pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta), 78.1W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: DPAK
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager6.030
NTD85N02RT4G
NTD85N02RT4G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 24V 12A DPAK

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta), 85A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7nC @ 5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2050pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta), 78.1W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: DPAK
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager4.212
NTD95N02R
NTD95N02R

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 24V 12A DPAK

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta), 32A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta), 86W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: DPAK
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager7.758
NTD95N02R-001
NTD95N02R-001

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 24V 12A IPAK

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta), 32A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta), 86W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: I-PAK
  • Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Auf Lager8.154
NTD95N02R-1G
NTD95N02R-1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 24V 12A IPAK

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta), 32A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta), 86W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: I-PAK
  • Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Auf Lager3.402
NTD95N02RG
NTD95N02RG

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 24V 12A DPAK

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta), 32A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta), 86W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: DPAK
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager3.544
NTD95N02RT4
NTD95N02RT4

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 24V 12A DPAK

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta), 32A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta), 86W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: DPAK
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager5.904
NTD95N02RT4G
NTD95N02RT4G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 24V 12A DPAK

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta), 32A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta), 86W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: DPAK
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager6.678
NTDV18N06LT4G
NTDV18N06LT4G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 5V
  • Vgs (Max): ±15V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 675pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: DPAK
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager2.412
NTDV20N06LT4G
NTDV20N06LT4G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 10A, 5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 5V
  • Vgs (Max): ±15V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 990pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 1.36W (Ta), 60W (Tj)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: DPAK
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager7.020
NTDV20N06T4G
NTDV20N06T4G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1015pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 1.88W (Ta), 60W (Tj)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: DPAK
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager4.572
NTDV20P06LT4G
NTDV20P06LT4G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15.5A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 65W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: DPAK
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager8.064
NTDV2955-1G
NTDV2955-1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 60V 12A IPAK

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: -
  • Technologie: -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (Max): -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: I-PAK
  • Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Auf Lager2.862