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Transistoren

Datensätze 64.903
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Beschreibung
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NTMFS5C460NLT3G
NTMFS5C460NLT3G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 50W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager4.842
NTMFS5C468NLT1G
NTMFS5C468NLT1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager13.050
NTMFS5C468NLT3G
NTMFS5C468NLT3G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager2.376
NTMFS5C604NLT1G
NTMFS5C604NLT1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V 289A SO-8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 38A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8900pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager22.734
NTMFS5C604NLT1G-UIL3
NTMFS5C604NLT1G-UIL3

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V 272A

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A (Ta), 287A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8900pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager4.986
NTMFS5C604NLT3G
NTMFS5C604NLT3G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V 40A SO-8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A (Ta), 287A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8900pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager4.374
NTMFS5C609NLT1G
NTMFS5C609NLT1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: *
  • FET-Typ: -
  • Technologie: -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (Max): -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Lieferantengerätepaket: -
  • Paket / Fall: -
Auf Lager5.742
NTMFS5C612NLT1G
NTMFS5C612NLT1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 36A (Ta), 235A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6660pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager13.051
NTMFS5C612NLT1G-UIL5
NTMFS5C612NLT1G-UIL5

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

NFET SO8FL 60V 219A 1.5MO

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 36A (Ta), 235A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6660pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager5.454
NTMFS5C612NLT3G
NTMFS5C612NLT3G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 36A (Ta), 235A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6660pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager7.380
NTMFS5C612NLWFT1G
NTMFS5C612NLWFT1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V 235A 5DFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 235A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6660pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager4.050
NTMFS5C628NLT1G
NTMFS5C628NLT1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager3.402
NTMFS5C628NLT3G
NTMFS5C628NLT3G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager7.182
NTMFS5C645NLT1G
NTMFS5C645NLT1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V 22A 100A 5DFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Ta), 100A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 50V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 79W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager7.056
NTMFS5C645NLT3G
NTMFS5C645NLT3G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V 22A 100A 5DFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Ta), 100A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 50V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 79W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager4.878
NTMFS5C646NLT1G
NTMFS5C646NLT1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V 32A SO-8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 19A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2164pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 79W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager31.434
NTMFS5C646NLT3G
NTMFS5C646NLT3G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V 20A SO-8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta), 93A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.7nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2164pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.7W (Ta), 79W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager5.652
NTMFS5C670NLT1G
NTMFS5C670NLT1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V 68A SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Ta), 71A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 61W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager8.406
NTMFS5C670NLT3G
NTMFS5C670NLT3G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V 68A SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Ta), 71A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 61W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager6.696
NTMFS5C673NLT1G
NTMFS5C673NLT1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 46W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager12.228
NTMFS5C673NLT3G
NTMFS5C673NLT3G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 46W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager6.048
NTMFS5C677NLT1G
NTMFS5C677NLT1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

T6 60V S08FL SINGLE

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Ta), 36A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 620pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.5W (Ta), 37W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager3.474
NTMFS5C682NLT1G
NTMFS5C682NLT1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CHANNEL 60V 25A 5DFN

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 16µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 28W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager3.780
NTMFS5H400NLT1G
NTMFS5H400NLT1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V 46A DFN5

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 46A (Ta), 330A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7700pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.3W (Ta), 160W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager5.868
NTMFS5H400NLT3G
NTMFS5H400NLT3G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V 46A SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 46A (Ta), 330A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7700pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.3W (Ta), 160W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager3.564
NTMFS5H409NLT1G
NTMFS5H409NLT1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V 41A DFN5

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 41A (Ta), 270A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5700pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.2W (Ta), 140W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager4.824
NTMFS5H409NLT3G
NTMFS5H409NLT3G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V 41A SO8FL

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 41A (Ta), 270A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5700pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.2W (Ta), 140W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN
Auf Lager7.092
NTMFS5H414NLT1G
NTMFS5H414NLT1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

T8 40V LOW COSS

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 35A (Ta), 210A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4550pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta), 110W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager2.952
NTMFS5H419NLT1G
NTMFS5H419NLT1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

T8 40V LOW COSS

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 29A (Ta), 155A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2900pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager4.176
NTMFS5H425NLT1G
NTMFS5H425NLT1G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

T8 40V LOW COSS

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Ta), 118A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1950pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 3W (Ta), 69W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Paket / Fall: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Auf Lager3.438