Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 1621/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
NTTFS4929NTWG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 34A 8WDFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.6A (Ta), 34A(Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 810mW (Ta), 22.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager6.084
NTTFS4930NTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 23A 8WDFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Ta), 23A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 476pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 790mW (Ta), 20.2W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager6.156
NTTFS4930NTWG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 23A 8WDFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Ta), 23A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 476pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 790mW (Ta), 20.2W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager8.244
NTTFS4932NTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Ta), 79A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3111pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 850mW (Ta), 43W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager33.336
NTTFS4932NTWG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Ta), 79A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3111pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 850mW (Ta), 43W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager8.190
NTTFS4937NTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Ta), 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2540pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 860mW (Ta), 43.1W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager8.298
NTTFS4937NTWG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Ta), 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2540pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 860mW (Ta), 43.1W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager6.768
NTTFS4939NTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 8.9A 8WDFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.9A (Ta), 52A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1979pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 850mW (Ta), 29.8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager4.050
NTTFS4939NTWG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 8.9A 8WDFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.9A (Ta), 52A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1979pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 850mW (Ta), 29.8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager6.768
NTTFS4941NTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.3A (Ta), 46A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1619pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 840mW (Ta), 25.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager6.678
NTTFS4941NTWG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.3A (Ta), 46A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1619pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 840mW (Ta), 25.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager6.930
NTTFS4943NTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 8A 8WDFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Ta), 41A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1386pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 840mW (Ta), 22.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager5.454
NTTFS4943NTWG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 8A 8WDFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Ta), 41A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1386pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 840mW (Ta), 22.3W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager3.186
NTTFS4945NTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 7.1A 8WDFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.1A (Ta), 34A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1194pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 890mW (Ta), 20W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager6.318
NTTFS4945NTWG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 7.1A 8WDFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.1A (Ta), 34A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1194pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 890mW (Ta), 20W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager7.632
NTTFS4965NFTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 64A U8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16.3A (Ta), 64A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4nC @ 10V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2075pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager5.022
NTTFS4965NFTWG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 64A U8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16.3A (Ta), 64A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4nC @ 10V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2075pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager8.100
NTTFS4985NFTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 16.3A 8-WDFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16.3A (Ta), 64A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2075pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.47W (Ta), 22.73W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager13.218
NTTFS4985NFTWG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 64A U8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16.3A (Ta), 64A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2075pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.47W (Ta), 22.73W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager2.736
NTTFS4C02NTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 170A 8WDFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 170A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2980pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 91W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager13.128
NTTFS4C05NTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 75A U8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta), 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1988pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 820mW (Ta), 33W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager31.590
NTTFS4C05NTWG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 75A U8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta), 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1988pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 820mW (Ta), 33W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager4.518
NTTFS4C06NTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 65A U8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Ta), 67A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3366pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 810mW (Ta), 31W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager29.370
NTTFS4C06NTWG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 65A U8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Ta), 67A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3366pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 810mW (Ta), 31W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager139.152
NTTFS4C08NTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 52A U8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1113pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 820mW (Ta), 25.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager32.106
NTTFS4C08NTWG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 52A U8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1113pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 820mW (Ta), 25.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager7.488
NTTFS4C10NTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 44A U8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.2A (Ta), 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 993pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 790mW (Ta), 23.6W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager23.622
NTTFS4C10NTWG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 44A U8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.2A (Ta), 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 993pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 790mW (Ta), 23.6W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager89.748
NTTFS4C13NTAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 38A U8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 780mW (Ta), 21.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager128.052
NTTFS4C13NTWG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 38A U8FL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 780mW (Ta), 21.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WDFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager140.214

«
‹
1
...
1618
1619
1620
1621 (current)
1622
1623
1624
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message