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Transistoren

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Beschreibung
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RD3G500GNTL
RD3G500GNTL

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

RD3G500GN IS THE LOW ON - RESIST

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 22800pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 35W (Tc)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager25.344
RD3G600GNTL
RD3G600GNTL

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

RD3G600GN IS A POWER MOSFET WITH

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 60A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3400pF @ 20V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 40W (Ta)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager3.060
RD3H045SPFRATL
RD3H045SPFRATL

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

RD3H045SPFRA IS A POWER MOSFET W

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 4.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 15W (Tc)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager8.766
RD3H045SPTL1
RD3H045SPTL1

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

PCH -45V -4.5A POWER MOSFET

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 4.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 10V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 15W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager2.574
RD3H080SPFRATL
RD3H080SPFRATL

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

RD3H080SPFRA IS A POWER MOSFET W

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 10V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 15W (Tc)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager7.812
RD3H080SPTL1
RD3H080SPTL1

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

PCH -45V -8A POWER MOSFET

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 10V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 15W (Tc)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager7.254
RD3H160SPFRATL
RD3H160SPFRATL

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

RD3H160SPFRA IS A POWER MOSFET F

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 20W (Tc)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager8.550
RD3H160SPTL1
RD3H160SPTL1

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

PCH -45V -16A POWER MOSFET

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 20W (Tc)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager3.276
RD3H200SNFRATL
RD3H200SNFRATL

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

RD3H200SNFRA IS THE HIGH RELIABI

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 20W (Tc)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager25.380
RD3H200SNTL1
RD3H200SNTL1

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

NCH 45V 20A POWER MOSFET

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 20W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager6.912
RD3L050SNFRATL
RD3L050SNFRATL

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

AUTOMOTIVE NCH 60V 5A POWER MOSF

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 10V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 15W (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager7.506
RD3L050SNTL1
RD3L050SNTL1

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

NCH 60V 5A POWER MOSFET

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 10V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 15W (Tc)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager5.562
RD3L080SNFRATL
RD3L080SNFRATL

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

RD3L080SNFRA IS A POWER MOSFET W

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 10V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 15W (Tc)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager7.704
RD3L080SNTL1
RD3L080SNTL1

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

NCH 60V 8A POWER MOSFET

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 10V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 15W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager5.706
RD3L08BGNTL
RD3L08BGNTL

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

RD3L08BGN IS A POWER MOSFET, SUI

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 80A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3620pF @ 30V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 119W (Tc)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager21.240
RD3L140SPFRATL
RD3L140SPFRATL

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

RD3L140SPFRA IS A AUTOMOTIVE GRA

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 10V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 20W (Tc)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager8.748
RD3L140SPTL1
RD3L140SPTL1

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

PCH -60V -14A POWER MOSFET

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 10V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 20W (Tc)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager48.132
RD3L150SNFRATL
RD3L150SNFRATL

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

RD3L150SNFRA IS A POWER MOSFET F

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 10V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 20W (Tc)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager6.966
RD3L150SNTL1
RD3L150SNTL1

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

NCH 60V 15A POWER MOSFET

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 10V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 20W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager4.212
RD3L220SNFRATL
RD3L220SNFRATL

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

RD3L220SNFRA IS A AUTOMOTIVE GRA

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 10V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 20W (Tc)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager18.786
RD3L220SNTL1
RD3L220SNTL1

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

NCH 60V 22A POWER MOSFET

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 10V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 20W (Tc)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager8.226
RD3P050SNFRATL
RD3P050SNFRATL

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

RD3P050SNFRA IS A POWER MOSFET F

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 15W (Tc)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager3.888
RD3P050SNTL1
RD3P050SNTL1

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

NCH 100V 5A POWER MOSFET

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 15W (Tc)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager3.096
RD3P08BBDTL
RD3P08BBDTL

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

RD3P08BBD IS A POWER MOSFET WITH

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 80A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1940pF @ 50V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 119W (Ta)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager8.928
RD3P100SNFRATL
RD3P100SNFRATL

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

RD3P100SNFRA IS A POWER MOSFET W

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 20W (Tc)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager22.122
RD3P100SNTL1
RD3P100SNTL1

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

NCH 100V 10A POWER MOSFET

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 20W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager25.830
RD3P130SPFRATL
RD3P130SPFRATL

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

RD3P130SPFRA IS A POWER MOSFET W

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 20W (Tc)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager3.618
RD3P130SPTL1
RD3P130SPTL1

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

PCH -100V -13A POWER MOSFET

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6.5A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 20W (Tc)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager3.600
RD3P175SNFRATL
RD3P175SNFRATL

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

RD3P175SNFRA IS A POWER MOSFET W

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17.5A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 8.8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 20W (Tc)
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager5.094
RD3P175SNTL1
RD3P175SNTL1

Rohm Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

NCH 100V 17.5A POWER MOSFET

  • Hersteller: Rohm Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17.5A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 8.8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 20W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: TO-252
  • Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Auf Lager3.186