Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 1692/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
RJL6013DPE-WS#J3 Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH LDPAK Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 810mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-LDPAK Paket / Fall: SC-83	Auf Lager2.304
RJL6018DPK-00#T0 Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 27A TO3P Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 27A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3830pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 200W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3P Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager7.470
RJL6020DPK-00#T0 Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 30A TO3P Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4750pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 200W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3P Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager3.924
RJP020N06T100 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: MPT3 Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager12.486
RJU002N06FRAT106 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single 2.5V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPON Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 200mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: UMT3 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager3.582
RJU002N06T106 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 200mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: UMT3 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager149.208
RJU003N03T106 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 300mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 24pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 200mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: UMT3 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager385.392
RK3055ETL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 8A DPAK Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 20W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: CPT3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.686
RK7002AT116 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 200mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SST3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager5.490
RK7002BMHZGT116 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single 2.5V DRIVE NCH MOSFET Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 250mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 350mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SST3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager3.258
RK7002BMT116 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 0.25A SST3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 250mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 200mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SST3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager313.704
RK7002BT116 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT-23 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 250mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 200mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SST3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager835.362
RK7002T116 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 115mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 225mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SST3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager6.102
RMW130N03TB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 13A 8PSOP Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PSOP Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead	Auf Lager24.606
RMW150N03TB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 15A 8PSOP Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 831pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PSOP Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead	Auf Lager8.100
RMW180N03TB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 18A 8PSOP Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PSOP Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead	Auf Lager6.246
RMW200N03TB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 20A 8PSOP Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1780pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PSOP Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead	Auf Lager23.370
RMW280N03TB Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 28A 8PSOP Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 28A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3130pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PSOP Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead	Auf Lager7.434
RND030N20TL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 3A CPT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 870mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 850mW (Ta), 20W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: CPT3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager23.802
RP1A090ZPTR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 12V 9A MPT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7400pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: MPT6 Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads	Auf Lager2.628
RP1E050RPTR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 5A MPT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: MPT6 Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads	Auf Lager5.778
RP1E070XNTCR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 7A MPT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 390pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: MPT6 Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads	Auf Lager8.820
RP1E075RPTR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 7.5A MPT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: MPT6 Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads	Auf Lager4.104
RP1E090RPTR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 9A MPT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: MPT6 Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads	Auf Lager3.942
RP1E090XNTCR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 9A MPT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: MPT6 Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads	Auf Lager6.678
RP1E100RPTR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 10A MPT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: MPT6 Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads	Auf Lager4.752
RP1E100XNTR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 10A MPT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: MPT6 Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads	Auf Lager6.642
RP1E125XNTR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 12.5A MPT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: MPT6 Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads	Auf Lager7.578
RP1H065SPTR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 45V 6.5A MPT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 45V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3200pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: MPT6 Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads	Auf Lager7.038
RP1L055SNTR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 5.5A MPT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 730pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: MPT6 Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads	Auf Lager8.316

«
‹
1
...
1689
1690
1691
1692 (current)
1693
1694
1695
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message