Transistoren

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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
SFT1443-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 9A TP-FA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta), 19W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK/TP-FA Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.940
SFT1443-TL-W ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 9A TP-FA DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta), 19W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK/TP-FA Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager17.988
SFT1443-W ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 9A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta), 19W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: IPAK/TP Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager7.650
SFT1445-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 17A TP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta), 35W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TP Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager3.454
SFT1445-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 17A TP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta), 35W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TP-FA Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager19.608
SFT1446-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 20A TP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta), 23W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TP Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager4.734
SFT1446-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 20A TP-FA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta), 23W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TP-FA Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager8.622
SFT1450-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 21A TP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 21A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 10.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 715pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta), 23W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TP Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager7.218
SFT1450-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 21A TP-FA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 21A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 10.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 715pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta), 23W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TP-FA Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager4.266
SFT1452-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta), 26W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: IPAK/TP Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager7.308
SFT1452-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta), 26W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK/TP-FA Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager7.020
SFT1452-TL-W ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 3A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta), 26W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK/TP-FA Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.220
SFT1452-W ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 3A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta), 26W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: IPAK/TP Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager6.390
SFT1458-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 1A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 65pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta), 38W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: IPAK/TP Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager7.560
SFT1458-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 1A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 65pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta), 38W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: DPAK/TP-FA Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.538
SFU9220TU_AM002 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 200V 3.1A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 30W (Tc) Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager5.130
SFU9220TU_F080 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 200V 3.1A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.1A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 30W (Tc) Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager3.402
SFW9530TM ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 100V 10.5A D2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1035pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.8W (Ta), 66W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D²PAK (TO-263AB) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager2.520
SFW9640TM ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1585pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta), 123W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D²PAK (TO-263AB) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager7.110
SFW9Z34TM ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1155pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.8W (Ta), 82W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D²PAK (TO-263AB) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager7.560
SI1002R-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 610mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 8V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 220mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-75A Paket / Fall: SC-75A	Auf Lager4.320
SI1011X-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 12V SC-89 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Vgs (Max): ±5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 190mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-89-3 Paket / Fall: SC-89, SOT-490	Auf Lager4.302
SI1012CR-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-75A Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 8V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 240mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-75A Paket / Fall: SC-75, SOT-416	Auf Lager6.174
SI1012R-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V Vgs (Max): ±6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-75A Paket / Fall: SC-75A	Auf Lager4.212
SI1012R-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V Vgs (Max): ±6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-75A Paket / Fall: SC-75A	Auf Lager1.396.140
SI1012-TP Micro Commercial Co	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single N-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 750nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-523 Paket / Fall: SOT-523	Auf Lager4.680
SI1012X-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V Vgs (Max): ±6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-89-3 Paket / Fall: SC-89, SOT-490	Auf Lager2.196
SI1012X-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V Vgs (Max): ±6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-89-3 Paket / Fall: SC-89, SOT-490	Auf Lager363.948
SI1013CX-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 0.45A SC89-3 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 450mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 190mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-89-3 Paket / Fall: SC-89, SOT-490	Auf Lager8.838
SI1013R-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 350mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-75A Paket / Fall: SC-75A	Auf Lager7.758

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