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SIHU2N80E-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: E FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 315pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 62.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: IPAK (TO-251) Paket / Fall: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB	Auf Lager21.954
SIHU3N50DA-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 177pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 69W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: IPAK (TO-251) Paket / Fall: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB	Auf Lager3.960
SIHU3N50D-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 69W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-251AA Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager3.708
SIHU3N50D-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 69W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-251 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager4.824
SIHU4N80AE-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: E FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 622pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 69W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: IPAK (TO-251) Paket / Fall: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB	Auf Lager5.274
SIHU4N80E-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHAN 800V TO-251 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: E FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 622pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 69W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: IPAK (TO-251) Paket / Fall: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB	Auf Lager27.900
SIHU5N50D-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-251AA Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager8.568
SIHU5N50D-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-251 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager24.330
SIHU6N62E-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 620V 6A TO-251 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 620V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 578pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 78W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: IPAK (TO-251) Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager25.506
SIHU6N65E-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 6A IPAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 78W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: IPAK (TO-251) Paket / Fall: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB	Auf Lager6.642
SIHU6N80E-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHAN 800V TO-251 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: E FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 827pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 78W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: IPAK (TO-251) Paket / Fall: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB	Auf Lager22.224
SIHU7N60E-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 7A TO-251 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 78W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-251 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager6.102
SIHU7N60E-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 7A TO-251 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 680pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 78W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I-PAK Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager4.788
SIHW21N80AE-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V TO-247AC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager5.094
SIHW23N60E-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 23A TO-247AD Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 23A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2418pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 227W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247AD Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager6.714
SIHW30N60E-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 29A TO-247AD Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 29A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247AD Paket / Fall: TO-3P-3 Full Pack	Auf Lager6.960
SIHW33N60E-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 33A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3508pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 278W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247AD Paket / Fall: TO-3P-3 Full Pack	Auf Lager3.186
SIHW47N60EF-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 47A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4854pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 379W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247AD Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager3.204
SIHW47N60E-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 47A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9620pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 357W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247AD Paket / Fall: TO-3P-3 Full Pack	Auf Lager9.684
SIHW47N65E-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AD Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 47A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5682pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 417W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247AD Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager6.390
SIHW61N65EF-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD Hersteller: Vishay Siliconix Serie: E FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 64A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 30.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 371nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7407pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 520W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247AD Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager10.404
SIHW70N60EF-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 70A TO-247AD Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7500pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 520W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247AD Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager11.292
SIHW73N60E-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 73A TO-247AD Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 73A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 36A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 362nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7700pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 520W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247AD Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager2.268
SIJ186DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8L Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 23A (Ta), 79.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1710pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5W (Ta), 57W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® SO-8 Paket / Fall: PowerPAK® SO-8	Auf Lager27.006
SIJ188DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHAN 60-V POWERPAK SO-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25.5A (Ta), 92.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1920pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5W (Ta), 65.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® SO-8 Paket / Fall: PowerPAK® SO-8	Auf Lager3.366
SIJ400DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 32A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7765pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5W (Ta), 69.4W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® SO-8 Paket / Fall: PowerPAK® SO-8	Auf Lager6.372
SIJ420DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3630pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4.8W (Ta), 62.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® SO-8 Paket / Fall: PowerPAK® SO-8	Auf Lager4.824
SIJ438ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHAN 40-V POWERPAK SO-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 45.3A (Ta), 169A(Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162nC @ 10V Vgs (Max): +20V, -16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7800pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5W (Ta), 69.4W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® SO-8 Paket / Fall: PowerPAK® SO-8	Auf Lager8.046
SIJ438DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8L Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182nC @ 10V Vgs (Max): +20V, -16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9400pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 69.4W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® SO-8 Paket / Fall: PowerPAK® SO-8	Auf Lager27.978
SIJ458DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4810pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5W (Ta), 69.4W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerPAK® SO-8 Paket / Fall: PowerPAK® SO-8	Auf Lager4.914

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