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STH240N75F3-6 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ III FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: H2PAK-6 Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Auf Lager18.600
STH245N75F3-6 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-6 Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: H2PAK-6 Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Auf Lager2.754
STH250N55F3-6 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK-6 Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ III FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: H²PAK Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Auf Lager5.256
STH250N6F3-6 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 250A H2PAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager3.454
STH260N6F6-2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VI FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: H2Pak-2 Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager6.138
STH260N6F6-6 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6 Hersteller: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VI FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: H2PAK-6 Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Auf Lager8.496
STH265N6F6-2AG STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2 Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: H2Pak-2 Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager5.274
STH265N6F6-6AG STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6 Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: H2PAK-6 Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Auf Lager2.466
STH270N4F3-2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2 Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: H²PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant	Auf Lager7.974
STH270N4F3-6 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6 Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: H²PAK Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Auf Lager3.816
STH270N8F7-2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2 Hersteller: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VII FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 315W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: H²PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant	Auf Lager2.322
STH270N8F7-6 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 Hersteller: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VII FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 315W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: H²PAK Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Auf Lager4.626
STH272N6F7-6AG STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6 Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 333W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: H2PAK-6 Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Auf Lager6.462
STH275N8F7-2AG STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2 Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 315W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: H2Pak-2 Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager4.320
STH275N8F7-6AG STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 315W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: H2PAK-6 Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Auf Lager4.320
STH290N4F6-2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V H2PAK-2 Hersteller: STMicroelectronics Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager6.912
STH290N4F6-2AG STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2 Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7380pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: H2Pak-2 Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager2.502
STH290N4F6-6 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V H2PAK-6 Hersteller: STMicroelectronics Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager5.004
STH290N4F6-6AG STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6 Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7380pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: H2PAK-6 Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Auf Lager7.344
STH300NH02L-6 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 24V 180A H2PAK-6 Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 24V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7050pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: H²PAK Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Auf Lager7.056
STH310N10F7-2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 Hersteller: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VII FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 315W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: H2Pak-2 Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager4.986
STH310N10F7-6 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 Hersteller: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VII FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 315W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: H2PAK-6 Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Auf Lager7.992
STH315N10F7-2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 315W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: H2Pak-2 Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager6.840
STH315N10F7-6 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6 Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 315W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: H2PAK-6 Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Auf Lager4.446
STH320N4F6-2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2 Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13800pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: H²PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant	Auf Lager3.508
STH320N4F6-6 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6 Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13800pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: H2PAK-6 Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Auf Lager8.514
STH360N4F6-2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2 Hersteller: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VI FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 340nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 17930pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: H2Pak-2 Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager3.006
STH3N150-2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 1.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 939pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 140W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: H²PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant	Auf Lager46.782
STH400N4F6-2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2 Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 404nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 20500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: H2Pak-2 Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager8.568
STH400N4F6-6 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6 Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 404nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 20500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: H2PAK-6 Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Auf Lager3.834

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