Transistoren

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STL50NH3LL STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 27A PWRFLAT6X5 Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 27A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 965pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 60W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager6.588
STL51N3LLH5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 51A POWERFLAT56 Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ V FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 51A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±22V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 724pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 62.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager3.114
STL52N25M5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 28A POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ V FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 28A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1770pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 110W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager4.878
STL55NH3LL STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 55A POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 55A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 965pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 60W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager27.186
STL56N3LLH5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 15A POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ V FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 56A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V Vgs (Max): +22V, -20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 62.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager26.652
STL57N65M5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ V FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.3A (Ta), 22.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4200pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 189W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (8x8) HV Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager3.906
STL58N3LLH5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 64A POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ H5 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 64A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (Max): +22V, -20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4.8W (Ta), 62.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager3.420
STL5N80K5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 3A POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ K5 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 177pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 38W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) VHV Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager5.508
STL60N10F7 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 12A PWRFLAT5X6 Hersteller: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VII FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 46A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (Max): 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1640pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5W (Ta), 72W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager6.156
STL60N3LLH5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ V FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs (Max): ±22V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1290pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 60W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager8.964
STL60NH3LL STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 16A PWRFLAT6X5 Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1810pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 60W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager85.314
STL60P4LLF6 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 40V 60A 8POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ F6 FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3525pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager4.932
STL62P3LLH6 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 62A 8POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ H6 FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 62A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3350pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager8.946
STL65N3LLH5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 19A POWERFLAT5X6 Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ V FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 65A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (Max): ±22V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 60W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager28.314
STL66N3LLH5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 21A POWERFLAT56 Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (Max): ±22V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 72W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager23.232
STL6N2VH5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 6A 6PWRFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ V FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 16V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.4W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (2x2) Paket / Fall: 6-PowerWDFN	Auf Lager3.708
STL6N3LLH6 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V PWRFLT2X2 Hersteller: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VI FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 283pF @ 24V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.4W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (2x2) Paket / Fall: 6-PowerWDFN	Auf Lager7.110
STL6NM60N STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 5.75A POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 70W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFLAT™ (5x5) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager2.340
STL6P3LLH6 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ H6 FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1450pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.9W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager7.218
STL70N10F3 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 100V 82A PWRFLAT 5X6 Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ III FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 82A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3210pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 136W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager2.376
STL70N4LLF5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 18A PWRFLAT 5X6 Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (Max): ±22V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 72W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager4.464
STL75N3LLZH5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 75A POWERFLAT56 Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ V FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 4.5V Vgs (Max): ±18V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 60W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager3.562
STL75N8LF6 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 75A POWERFLAT56 Hersteller: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VI FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 4.5V Vgs (Max): +21V, -16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6895pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 80W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager6.300
STL75NH3LL STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 20A POWERFLAT6X5 Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1810pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 60W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager3.942
STL7LN80K5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 5A POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 42W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager25.320
STL7N10F7 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 7A 8POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VII FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.9W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager6.138
STL7N60M2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 5A POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 271pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4W (Ta), 67W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFLAT™ (5x5) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager3.726
STL7N6F7 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single N-CHANNEL 60 V, 0.019 OHM TYP., Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.4W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (2x2) Paket / Fall: 6-PowerWDFN	Auf Lager22.230
STL7N6LF3 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 20A PWRFLAT8 Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 432pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4.3W (Ta), 52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager28.920
STL7N80K5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 8POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: SuperMESH5™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 42W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager5.166

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