Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 1909/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
TN0201K-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 420MA SOT23-3 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 420mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 350mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager8.100
TN0604N3-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 700mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 740mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager15.480
TN0604N3-G-P005 Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 700mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 740mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager7.362
TN0604N3-G-P013 Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 700mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 740mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager4.284
TN0606N3-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager23.040
TN0610N3-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager8.190
TN0610N3-G-P003 Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager7.722
TN0610N3-G-P013 Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager2.142
TN0620N3-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 250mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager11.040
TN0620N3-G-P002 Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 250mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager19.494
TN0620N3-G-P014 Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 250mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager6.732
TN0702N3-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 530mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager14.076
TN2106K1-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 280mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360mW (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager4.698
TN2106N3-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 740mW (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager7.704
TN2124K1-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 240V 0.134A SOT23-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 240V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 134mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 120mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360mW (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager29.730
TN2130K1-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 300V 0.085A SOT23-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 85mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360mW (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager5.598
TN2404K-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 240V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager315.552
TN2404K-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 240V 200MA TO236 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 240V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager25.188
TN2425N8-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 480MA SOT89-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 480mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-89-3 Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager5.436
TN2435N8-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 350V 365MA SOT89-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 350V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 365mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 750mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-243AA (SOT-89) Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager4.500
TN2501N8-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 18V 400MA SOT89-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 18V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 400mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 3V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 200mA, 3V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-243AA (SOT-89) Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager4.068
TN2504N8-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 0.89A SOT89-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 890mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 125pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-243AA (SOT-89) Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager16.332
TN2510N8-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 730MA SOT89-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 730mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 125pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-243AA (SOT-89) Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager19.398
TN2524N8-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 240V 360MA SOT89-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 240V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 360mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 125pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-243AA (SOT-89) Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager146.034
TN2540N3-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 400V 0.175A TO92-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 175mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 125pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager15.408
TN2540N3-G-P002 Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 400V 0.175A TO92-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 175mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 125pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager7.740
TN2540N8-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 400V 260MA SOT89-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 260mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 125pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-243AA (SOT-89) Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager156.120
TN2640K4-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 400V 500MA 3DPAK Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252, (D-Pak) Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.196
TN2640LG-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 400V 260MA 8SOIC Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 260mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOIC Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager7.506
TN2640N3-G Microchip Technology	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 400V 0.22A TO92-3 Hersteller: Microchip Technology Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 220mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 740mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager7.200

«
‹
1
...
1906
1907
1908
1909 (current)
1910
1911
1912
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message