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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
MCH6122-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 30V 3A MCPH6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 75mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 400MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 6-MCPH	Auf Lager5.382
MCH6122-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 30V 3A MCPH6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 75mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 400MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 6-MCPH	Auf Lager2.124
MCH6123-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 50V 3A MCPH6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 100mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 390MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 6-MCPH	Auf Lager3.924
MCH6124-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 20V 3A MCPH6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 195mV @ 75mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 400MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 6-MCPH	Auf Lager6.984
MCH6202-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V 1.5A MCPH6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 15mA, 750mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 500MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 6-MCPH	Auf Lager2.250
MCP718-TP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DFN2020-3 Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 2.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 25nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN2020-3	Auf Lager3.436
MD1802FX STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 700V 10A ISOWATT218FX Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 700V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.25A, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5.5 @ 5A, 5V Leistung - max: 57W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: ISOWATT218FX Lieferantengerätepaket: ISOWATT-218FX	Auf Lager7.326
MD1803DFP STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 700V 10A TO-220FP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 700V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.25A, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5.5 @ 5A, 5V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220FP	Auf Lager4.608
MD1803DFX STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 700V 10A ISOWATT218FX Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 700V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.25A, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5.5 @ 5A, 5V Leistung - max: 57W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: ISOWATT218FX Lieferantengerätepaket: ISOWATT-218FX	Auf Lager6.102
MD2001FX STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 700V 12A ISOWATT218FX Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 700V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1.5A, 6A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 4.5 @ 6A, 5V Leistung - max: 58W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: ISOWATT218FX Lieferantengerätepaket: ISOWATT-218FX	Auf Lager168.216
MD2009DFP STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 700V 10A TO-220FP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 700V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 1.4A, 5.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5 @ 5.5A, 5V Leistung - max: 40W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220 Full Pack	Auf Lager7.434
MD2009DFX STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 700V 10A ISOWATT218FX Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 700V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 1.4A, 5.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5 @ 5.5A, 5V Leistung - max: 58W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: ISOWATT218FX Lieferantengerätepaket: ISOWATT-218FX	Auf Lager6.084
MD2103DFP STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 700V 6A TO-220FP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 700V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 750mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 6.5 @ 3A, 5V Leistung - max: 38W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220FP	Auf Lager16.644
MD2103DFX STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 700V 6A TO-220FP Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 700V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 750mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 6.5 @ 3A, 5V Leistung - max: 52W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: ISOWATT218FX Lieferantengerätepaket: ISOWATT-218FX	Auf Lager6.138
MD2310FX STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 700V 14A TO-3PF Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 14A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 700V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1.75A, 7A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 6 @ 7A, 5V Leistung - max: 62W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: ISOWATT218FX Lieferantengerätepaket: ISOWATT-218FX	Auf Lager10.068
MJ11012G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 60V 30A TO-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V Leistung - max: 200W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-204 (TO-3)	Auf Lager6.744
MJ11015G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 120V 30A TO3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V Leistung - max: 200W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-204 (TO-3)	Auf Lager17.064
MJ11016 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 120V 30A TO3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V Leistung - max: 200W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-204 (TO-3)	Auf Lager7.722
MJ11016G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 120V 30A TO3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V Leistung - max: 200W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-204 (TO-3)	Auf Lager7.380
MJ11021 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 250V 15A TO-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3.4V @ 150mA, 15A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V Leistung - max: 175W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-204 (TO-3)	Auf Lager6.444
MJ11021G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 250V 15A TO-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3.4V @ 150mA, 15A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V Leistung - max: 175W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-204 (TO-3)	Auf Lager8.016
MJ11022 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 250V 15A TO-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3.4V @ 150mA, 15A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V Leistung - max: 175W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-204 (TO-3)	Auf Lager8.730
MJ11022G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 250V 15A TO-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3.4V @ 150mA, 15A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V Leistung - max: 175W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-204 (TO-3)	Auf Lager10.608
MJ11028G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 60V 50A TO3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V Leistung - max: 300W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AE Lieferantengerätepaket: TO-3	Auf Lager19.890
MJ11030 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 90V 50A TO-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 90V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V Leistung - max: 300W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AE Lieferantengerätepaket: TO-3	Auf Lager6.246
MJ11030G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 90V 50A TO-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 90V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V Leistung - max: 300W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AE Lieferantengerätepaket: TO-3	Auf Lager3.726
MJ11032 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 120V 50A TO3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V Leistung - max: 300W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AE Lieferantengerätepaket: TO-3	Auf Lager7.560
MJ11032G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 120V 50A TO3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V Leistung - max: 300W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AE Lieferantengerätepaket: TO-3	Auf Lager34.506
MJ11033G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 120V 50A TO3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V Leistung - max: 300W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AE Lieferantengerätepaket: TO-3	Auf Lager6.168
MJ14001G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 60A TO-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 12A, 60A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 50A, 3V Leistung - max: 300W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AE Lieferantengerätepaket: TO-3	Auf Lager2.034

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