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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
MJD210T4G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 25V 5A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Leistung - max: 1.4W Frequenz - Übergang: 65MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager36.414
MJD210TF ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 25V 5A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Leistung - max: 1.4W Frequenz - Übergang: 65MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: D-Pak	Auf Lager4.302
MJD243 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 100V 4A DPAK-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Leistung - max: 1.4W Frequenz - Übergang: 40MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager4.464
MJD243G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 100V 4A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Leistung - max: 1.4W Frequenz - Übergang: 40MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager21.048
MJD243T4 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 100V 4A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Leistung - max: 1.4W Frequenz - Übergang: 40MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager7.614
MJD243T4G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 100V 4A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Leistung - max: 1.4W Frequenz - Übergang: 40MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager53.694
MJD253-001 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 100V 4A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Leistung - max: 1.4W Frequenz - Übergang: 40MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Lieferantengerätepaket: I-PAK	Auf Lager6.570
MJD253-1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 100V 4A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Leistung - max: 1.4W Frequenz - Übergang: 40MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Lieferantengerätepaket: I-PAK	Auf Lager21.336
MJD253T4 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 100V 4A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Leistung - max: 1.4W Frequenz - Übergang: 40MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager2.322
MJD253T4G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 100V 4A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Leistung - max: 1.4W Frequenz - Übergang: 40MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager23.556
MJD2955 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 10A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Leistung - max: 1.75W Frequenz - Übergang: 2MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager2.898
MJD2955-001 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 10A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Leistung - max: 1.75W Frequenz - Übergang: 2MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Lieferantengerätepaket: I-PAK	Auf Lager5.472
MJD2955-1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 10A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Leistung - max: 1.75W Frequenz - Übergang: 2MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Lieferantengerätepaket: I-PAK	Auf Lager4.896
MJD2955G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 10A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Leistung - max: 1.75W Frequenz - Übergang: 2MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager21.240
MJD2955RLG ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 10A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.678
MJD2955T4 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 10A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Leistung - max: 1.75W Frequenz - Übergang: 2MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager4.464
MJD2955T4 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 10A DPAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Leistung - max: 20W Frequenz - Übergang: 2MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager6.012
MJD2955T4G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 10A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Leistung - max: 1.75W Frequenz - Übergang: 2MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager60.354
MJD2955TF ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 10A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Leistung - max: 1.75W Frequenz - Übergang: 2MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: D-Pak	Auf Lager8.514
MJD29CTF ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 100V 1A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V Leistung - max: 1.56W Frequenz - Übergang: 3MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: D-Pak	Auf Lager5.382
MJD3055 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 10A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Leistung - max: 1.75W Frequenz - Übergang: 2MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager3.276
MJD3055G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 10A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Leistung - max: 1.75W Frequenz - Übergang: 2MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager4.950
MJD3055RLG ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 10A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.562
MJD3055T4 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 10A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Leistung - max: 1.75W Frequenz - Übergang: 2MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager6.498
MJD3055T4 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 10A DPAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Leistung - max: 20W Frequenz - Übergang: 2MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager20.736
MJD3055T4G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 10A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Leistung - max: 1.75W Frequenz - Übergang: 2MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager205.350
MJD3055TF ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 10A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Leistung - max: 1.75W Frequenz - Übergang: 2MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: D-Pak	Auf Lager8.892
MJD31C STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 100V 3A D-PAK Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Leistung - max: 15W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager6.516
MJD31C1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 100V 3A IPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Leistung - max: 1.56W Frequenz - Übergang: 3MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Lieferantengerätepaket: I-PAK	Auf Lager6.156
MJD31C-13 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 100V 3A DPAK Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1μA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V Leistung - max: 1.56W Frequenz - Übergang: 3MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager8.910

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