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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
MJE18006 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 450V 6A TO-220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: SWITCHMODE™ Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 450V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 1V Leistung - max: 100W Frequenz - Übergang: 14MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager7.038
MJE18006G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 450V 6A TO-220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: SWITCHMODE™ Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 450V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 1V Leistung - max: 100W Frequenz - Übergang: 14MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager3.708
MJE18008 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 450V 8A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: SWITCHMODE™ Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 450V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5V Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V Leistung - max: 125W Frequenz - Übergang: 13MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager3.526
MJE18008G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 450V 8A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: SWITCHMODE™ Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 450V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5V Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V Leistung - max: 125W Frequenz - Übergang: 13MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager8.748
MJE180G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 40V 3A TO225AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager7.272
MJE180PWD ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 40V 3A Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126	Auf Lager8.550
MJE180STU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 40V 3A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager23.736
MJE181 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 3A TO225AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Leistung - max: 12.5W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager5.850
MJE181G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 3A TO225AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager7.872
MJE181STU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 3A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager13.992
MJE182 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 3A SOT-32 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Leistung - max: 12.5W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: SOT-32-3	Auf Lager4.716
MJE182G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 3A TO225AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager22.872
MJE182STU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 3A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager12.552
MJE200G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 40V 5A TO225AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Leistung - max: 15W Frequenz - Übergang: 65MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager8.160
MJE200STU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 25V 5A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Leistung - max: 15W Frequenz - Übergang: 65MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager8.712
MJE200TSTU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 25V 5A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Leistung - max: 15W Frequenz - Übergang: 65MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager2.034
MJE210 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 5A TO225AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Leistung - max: 15W Frequenz - Übergang: 65MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager3.526
MJE210 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 25V 5A SOT-32 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 65MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: SOT-32-3	Auf Lager3.078
MJE210G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 5A TO225AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Leistung - max: 15W Frequenz - Übergang: 65MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager20.244
MJE210STU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 25V 5A TO-126 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Leistung - max: 15W Frequenz - Übergang: 65MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-126-3	Auf Lager25.698
MJE210T ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 5A TO-225 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Leistung - max: 15W Frequenz - Übergang: 65MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager4.230
MJE210TG ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 5A TO225 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V Leistung - max: 15W Frequenz - Übergang: 65MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager8.208
MJE243G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 100V 4A TO225AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 40MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager15.390
MJE253G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 100V 4A TO225AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 40MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager51.336
MJE270 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 100V 2A TO225AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 6MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager3.526
MJE270G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 100V 2A TO225AA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 6MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager13.506
MJE271 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 100V 2A TO-225 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 6MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager2.520
MJE271G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 100V 2A TO-225 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 6MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket: TO-225AA	Auf Lager4.554
MJE2955-BP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP TO-220 Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 2MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager8.262
MJE2955T ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 10A TO220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 700µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V Leistung - max: 75W Frequenz - Übergang: 2MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager2.862

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