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NJVMJD45H11G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 50V 8A DPAK-4 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1μA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Leistung - max: 1.75W Frequenz - Übergang: 90MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager16.500
NJVMJD45H11RLG-VF01 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 80V 8A DPAK-4 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1μA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Leistung - max: 1.75W Frequenz - Übergang: 90MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager3.546
NJVMJD45H11T4G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 80V 8A DPAK-4 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1μA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Leistung - max: 1.75W Frequenz - Übergang: 90MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager3.508
NJVMJD45H11T4G-VF01 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 80V 8A DPAK-4 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1μA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Leistung - max: 1.75W Frequenz - Übergang: 90MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager62.946
NJVMJD47T4G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 250V 1A DPAK-4 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Leistung - max: 1.56W Frequenz - Übergang: 10MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager21.300
NJVMJD50T4G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 400V 1A DPAK-4 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V Leistung - max: 1.56W Frequenz - Übergang: 10MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager2.556
NJVMJD6039T4G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V Leistung - max: 1.75W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager8.784
NJVNJD1718T4G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 50V 2A DPAK-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Leistung - max: 1.68W Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager3.114
NJVNJD2873T4G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 2A DPAK-4 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Leistung - max: 1.68W Frequenz - Übergang: 65MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager3.816
NJVNJD2873T4G-VF01 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 2A DPAK-4 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Leistung - max: 1.68W Frequenz - Übergang: 65MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager19.566
NJVNJD35N04G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK-4 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 350V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V Leistung - max: 45W Frequenz - Übergang: 90MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager8.316
NJVNJD35N04T4G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK-4 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 350V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V Leistung - max: 45W Frequenz - Übergang: 90MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager18.660
NJW0281G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 250V 15A TO-3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V Leistung - max: 150W Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P-3L	Auf Lager9.060
NJW0302G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 250V 15A TO-3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V Leistung - max: 150W Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P-3L	Auf Lager20.280
NJW1302G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 250V 15A TO-3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 800mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V Leistung - max: 200W Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P-3L	Auf Lager8.226
NJW21193G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 250V 16A TO-3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 16A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V Leistung - max: 200W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P-3L	Auf Lager7.560
NJW21194G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 250V 16A TO-3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 16A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V Leistung - max: 200W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P-3L	Auf Lager10.997
NJW3281G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 250V 15A TO-3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 800mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V Leistung - max: 200W Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P-3L	Auf Lager24.276
NJW44H11G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 10A TO-3P Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 4A, 2V Leistung - max: 120W Frequenz - Übergang: 85MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P-3L	Auf Lager7.272
NS2029M3T5G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 50V 0.1A SOT-723 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Leistung - max: 265mW Frequenz - Übergang: 140MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: SOT-723	Auf Lager7.956
NSCT2222ALT1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 225mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager2.862
NSCT2222ALT3G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 225mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager2.880
NSCT2907ALT1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 225mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager8.532
NSCT2907ALT3G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 225mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager6.732
NSCT3904LT1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 225mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager2.034
NSCT3904LT3G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 225mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager8.928
NSCT3906LT1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 225mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager3.708
NSCT3906LT3G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 225mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager8.352
NSCT817-25LT1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.5A SOT-23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Leistung - max: 225mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager6.948
NSCT817-25LT3G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.5A SOT-23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V Leistung - max: 225mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager7.452

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