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DDTA144TKA-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SC-59-3	Auf Lager7.524
DDTA144TUA-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323	Auf Lager3.330
DDTA144VCA-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager2.376
DDTA144VCA-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager24.528
DDTA144VE-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-523 Lieferantengerätepaket: SOT-523	Auf Lager2.250
DDTA144VE-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-523 Lieferantengerätepaket: SOT-523	Auf Lager48.258
DDTA144VKA-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SC-59-3	Auf Lager5.886
DDTA144VUA-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323	Auf Lager6.804
DDTA144VUA-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323	Auf Lager5.688
DDTA144WCA-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager2.520
DDTA144WCA-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager4.428
DDTA144WE-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-523 Lieferantengerätepaket: SOT-523	Auf Lager6.678
DDTA144WE-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-523 Lieferantengerätepaket: SOT-523	Auf Lager23.496
DDTA144WKA-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SC-59-3	Auf Lager5.094
DDTA144WUA-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323	Auf Lager8.748
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DDTB113EC-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 1 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager5.652
DDTB113EU-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 1 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323	Auf Lager2.034
DDTB113ZC-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager54.150
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DDTB114EC-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager4.914
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DDTB114GC-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): - Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager4.284
DDTB114GU-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): - Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323	Auf Lager3.060
DDTB114TC-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager4.140
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DDTB122JC-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 220 Ohms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager7.380
DDTB122JU-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 220 Ohms Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323	Auf Lager4.572
DDTB122LC-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 220 Ohms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager8.532
DDTB122LC-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 220 Ohms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager25.176

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