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Transistoren

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Beschreibung
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FJY3015R
FJY3015R

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS NPN SOT-523F

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: -
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-89, SOT-490
  • Lieferantengerätepaket: SOT-523F
Auf Lager6.480
FJY4001R
FJY4001R

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-89, SOT-490
  • Lieferantengerätepaket: SOT-523F
Auf Lager8.910
FJY4002R
FJY4002R

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-89, SOT-490
  • Lieferantengerätepaket: SOT-523F
Auf Lager3.436
FJY4003R
FJY4003R

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 250MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-89, SOT-490
  • Lieferantengerätepaket: SOT-523F
Auf Lager4.122
FJY4004R
FJY4004R

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-89, SOT-490
  • Lieferantengerätepaket: SOT-523F
Auf Lager3.762
FJY4005R
FJY4005R

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-89, SOT-490
  • Lieferantengerätepaket: SOT-523F
Auf Lager2.286
FJY4006R
FJY4006R

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-89, SOT-490
  • Lieferantengerätepaket: SOT-523F
Auf Lager3.528
FJY4007R
FJY4007R

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-89, SOT-490
  • Lieferantengerätepaket: SOT-523F
Auf Lager4.194
FJY4008R
FJY4008R

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-89, SOT-490
  • Lieferantengerätepaket: SOT-523F
Auf Lager3.726
FJY4009R
FJY4009R

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-89, SOT-490
  • Lieferantengerätepaket: SOT-523F
Auf Lager3.400
FJY4010R
FJY4010R

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-89, SOT-490
  • Lieferantengerätepaket: SOT-523F
Auf Lager3.834
FJY4011R
FJY4011R

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V
  • Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-89, SOT-490
  • Lieferantengerätepaket: SOT-523F
Auf Lager4.212
FJY4012R
FJY4012R

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V
  • Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-89, SOT-490
  • Lieferantengerätepaket: SOT-523F
Auf Lager8.316
FJY4013R
FJY4013R

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-89, SOT-490
  • Lieferantengerätepaket: SOT-523F
Auf Lager5.274
FJY4014R
FJY4014R

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang: 200MHz
  • Leistung - max: 200mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-89, SOT-490
  • Lieferantengerätepaket: SOT-523F
Auf Lager5.526
FN4L4M-T1B-A
FN4L4M-T1B-A

Renesas Electronics America

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

PROGRAM ADAPTER

  • Hersteller: Renesas Electronics America
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Widerstand - Basis (R1): -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager5.796
MMUN2111LT1
MMUN2111LT1

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 246mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager5.760
MMUN2111LT1G
MMUN2111LT1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 246mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager1.122.390
MMUN2111LT3G
MMUN2111LT3G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 246mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager190.566
MMUN2112LT1
MMUN2112LT1

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 246mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager6.030
MMUN2112LT1G
MMUN2112LT1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 246mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager87.450
MMUN2113LT1
MMUN2113LT1

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 246mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager4.860
MMUN2113LT1G
MMUN2113LT1G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS PNP 0.4W SOT23-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 246mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager267.006
MMUN2113LT3
MMUN2113LT3

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 246mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager2.214
MMUN2113LT3G
MMUN2113LT3G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 246mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager99.528
MMUN2114LT1
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 246mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager6.948
MMUN2114LT1G
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 246mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager5.544
MMUN2114LT3G
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 246mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager7.254
MMUN2115LT1G
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS PNP 0.4W SOT23-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 400mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager151.446
MMUN2116LT1G
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ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt

TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms
  • Widerstand - Emitterbasis (R2): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA
  • Frequenz - Übergang: -
  • Leistung - max: 246mW
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager55.218