Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 702/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
RN2106ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 100mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: CST3	Auf Lager80.352
RN2106CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 50mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: CST3	Auf Lager3.744
RN2106,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt PNP BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KOHM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): - Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: - Leistung - max: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.910
RN2106(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 100mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SSM	Auf Lager2.322
RN2107ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 100mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: CST3	Auf Lager2.376
RN2107CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 50mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: CST3	Auf Lager3.492
RN2107,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 100mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SSM	Auf Lager2.736
RN2107MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: VESM	Auf Lager7.794
RN2108ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 100mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: CST3	Auf Lager5.958
RN2108CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 50mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: CST3	Auf Lager6.984
RN2108,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt PNP BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOHM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): - Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: - Leistung - max: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.304
RN2108MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: VESM	Auf Lager3.474
RN2108(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 100mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SSM	Auf Lager3.978
RN2109ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 100mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: CST3	Auf Lager8.802
RN2109CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 50mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: CST3	Auf Lager7.128
RN2109,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt PNP BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOHM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Widerstand - Basis (R1): - Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Frequenz - Übergang: - Leistung - max: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.240
RN2109MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: VESM	Auf Lager7.434
RN2110ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 100mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: CST3	Auf Lager86.004
RN2110CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 50mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: CST3	Auf Lager5.814
RN2110,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 100mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SSM	Auf Lager4.302
RN2110MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: VESM	Auf Lager7.704
RN2111ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 100mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: CST3	Auf Lager88.800
RN2111CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 50mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: CST3	Auf Lager2.016
RN2111,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 100mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SSM	Auf Lager5.400
RN2111MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: VESM	Auf Lager2.376
RN2112ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 100mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: CST3	Auf Lager107.928
RN2112CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 50mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: CST3	Auf Lager6.732
RN2112,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 100mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SSM	Auf Lager27.690
RN2113ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 100mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: CST3	Auf Lager92.964
RN2113CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: PNP - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Frequenz - Übergang: - Leistung - max: 50mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-101, SOT-883 Lieferantengerätepaket: CST3	Auf Lager5.724

«
‹
1
...
699
700
701
702 (current)
703
704
705
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message