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ALD212908APAL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD®, Zero Threshold™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 8-PDIP	Auf Lager5.760
ALD212908ASAL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD®, Zero Threshold™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager6.732
ALD212908PAL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD®, Zero Threshold™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 8-PDIP	Auf Lager7.164
ALD212908SAL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD®, Zero Threshold™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager8.370
ALD212914PAL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD®, Zero Threshold™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 8-PDIP	Auf Lager7.632
ALD212914SAL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD®, Zero Threshold™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager3.276
ALD310700APCL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4 P-CH 8V 16DIP Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD®, Zero Threshold™ FET-Typ: 4 P-Channel, Matched Pair FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 16-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 16-PDIP	Auf Lager4.734
ALD310700ASCL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD®, Zero Threshold™ FET-Typ: 4 P-Channel, Matched Pair FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SOIC	Auf Lager7.218
ALD310700PCL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4 P-CH 8V 16DIP Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD®, Zero Threshold™ FET-Typ: 4 P-Channel, Matched Pair FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 16-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 16-PDIP	Auf Lager5.148
ALD310700SCL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD®, Zero Threshold™ FET-Typ: 4 P-Channel, Matched Pair FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SOIC	Auf Lager7.758
ALD310702APCL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4 P-CH 8V 16DIP Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD®, Zero Threshold™ FET-Typ: 4 P-Channel, Matched Pair FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 180mV @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 16-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 16-PDIP	Auf Lager4.482
ALD310702ASCL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD®, Zero Threshold™ FET-Typ: 4 P-Channel, Matched Pair FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 180mV @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SOIC	Auf Lager8.982
ALD310702PCL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4 P-CH 8V 16DIP Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD®, Zero Threshold™ FET-Typ: 4 P-Channel, Matched Pair FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 180mV @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 16-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 16-PDIP	Auf Lager3.150
ALD310702SCL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD®, Zero Threshold™ FET-Typ: 4 P-Channel, Matched Pair FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 180mV @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SOIC	Auf Lager2.934
ALD310704APCL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4 P-CH 8V 16DIP Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD®, Zero Threshold™ FET-Typ: 4 P-Channel, Matched Pair FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 380mV @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 16-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 16-PDIP	Auf Lager3.562
ALD310704ASCL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD®, Zero Threshold™ FET-Typ: 4 P-Channel, Matched Pair FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 380mV @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SOIC	Auf Lager6.300
ALD310704PCL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4 P-CH 8V 16DIP Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD®, Zero Threshold™ FET-Typ: 4 P-Channel, Matched Pair FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 380mV @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 16-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 16-PDIP	Auf Lager5.058
ALD310704SCL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD®, Zero Threshold™ FET-Typ: 4 P-Channel, Matched Pair FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 380mV @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SOIC	Auf Lager2.286
ALD310708APCL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4 P-CH 8V 16DIP Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD®, Zero Threshold™ FET-Typ: 4 P-Channel, Matched Pair FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 780mV @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 16-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 16-PDIP	Auf Lager2.520
ALD310708ASCL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD®, Zero Threshold™ FET-Typ: 4 P-Channel, Matched Pair FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 780mV @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SOIC	Auf Lager4.266
ALD310708PCL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4 P-CH 8V 16DIP Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD®, Zero Threshold™ FET-Typ: 4 P-Channel, Matched Pair FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 780mV @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 16-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket: 16-PDIP	Auf Lager6.066
ALD310708SCL Advanced Linear Devices Inc.	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC Hersteller: Advanced Linear Devices Inc. Serie: EPAD®, Zero Threshold™ FET-Typ: 4 P-Channel, Matched Pair FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 780mV @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2.5pF @ 5V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SOIC	Auf Lager3.870
AO3415B Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 6A 8-SOIC Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: * FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.004
AO4600C Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.5A (Ta), 5.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V, 42mOhm @ 5.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V, 12.2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 1200pF @ 15V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager2.106
AO4600CL Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.052
AO4606L Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N-CH 8SOIC Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N and P-Channel Complementary FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager2.430
AO4606L_DELTA Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N-CH 8SOIC Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N and P-Channel Complementary FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager3.762
AO4611 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 30V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager29.904
AO4612 Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A, 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 30V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager365.142
AO4612L Alpha & Omega Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Ta), 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V, 105mOhm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V, 20nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 30V, 1120pF @ 30V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager5.220

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