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Seite 765/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
EFC2J011NUZTDG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N-CH 12V 55A 10WLCSP Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.142
EFC2J013NUZTDG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N-CH 12V 17A WLCSP6 DUAL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: 6-WLCSP (2x1.49)	Auf Lager14.475
EFC2J017NUZTDG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CHANNEL 6WLCSP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 2.5W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFBGA, WLCSP Lieferantengerätepaket: 6-WLCSP (1.77x3.05)	Auf Lager7.830
EFC2K102NUZTDG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 12V, Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 33A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 3.8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 3.1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 10-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: 10-WLCSP (2.98x1.49)	Auf Lager6.246
EFC3C001NUZTCG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CHANNEL 4WLCSP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.6W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-XFBGA, WLCSP Lieferantengerätepaket: 4-WLCSP (1.26x1.26)	Auf Lager8.424
EFC3J018NUZTDG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 23A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFBGA, WLCSP Lieferantengerätepaket: 6-WLCSP (1.77x3.05)	Auf Lager6.480
EFC4618R-P-TR ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH EFCP1818 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.6W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-XBGA, 4-FCBGA Lieferantengerätepaket: EFCP1313-4CC-037	Auf Lager3.490
EFC4618R-TR ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH EFCP1818 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.6W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-XBGA, 4-FCBGA Lieferantengerätepaket: EFCP1818-4CC-037	Auf Lager7.308
EFC4619R-TR ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH EFCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.6W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-XFBGA, FCBGA Lieferantengerätepaket: EFCP1616-4CE-022	Auf Lager5.220
EFC4621R-TR ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH EFCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.6W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-XFBGA, FCBGA Lieferantengerätepaket: EFCP1616-4CE-022	Auf Lager4.914
EFC4622R-R-W-E-TR ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays INTEGRATED CIRCUIT Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.346
EFC4626R-TR ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 24V 5A CSP4 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.4W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-XFBGA Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.848
EFC4627R-A-TR ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 12V 6A CSP4 Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-XFBGA Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.880
EFC4627R-TR ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 12V 6A CSP4 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.4W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-XFBGA, FCBGA Lieferantengerätepaket: 4-EFCP (1.01x1.01)	Auf Lager4.158
EFC4630R-TR ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays INTEGRATED CIRCUIT Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 24V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.6W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-XFBGA Lieferantengerätepaket: EFCP1313-4CC-037	Auf Lager2.484
EFC4C002NLTDG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CHANNEL 8WLCSP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 15V Leistung - max: 2.6W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-XFBGA, WLCSP Lieferantengerätepaket: 8-WLCSP (6x2.5)	Auf Lager4.464
EFC4C012NLTDG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays NCH 30V 30A WLCSP6 DUAL Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: 6-WLCSP (3.5x1.9)	Auf Lager3.888
EFC6601R-A-TR ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH EFCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFBGA, FCBGA Lieferantengerätepaket: EFCP2718-6CE-020	Auf Lager3.924
EFC6601R-TR ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH EFCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFBGA, FCBGA Lieferantengerätepaket: EFCP2718-6CE-020	Auf Lager3.060
EFC6602R-A-TR ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH EFCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFBGA, FCBGA Lieferantengerätepaket: EFCP2718-6CE-020	Auf Lager2.232
EFC6602R-TR ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH EFCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFBGA, FCBGA Lieferantengerätepaket: EFCP2718-6CE-020	Auf Lager6.570
EFC6604R-TR ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH EFCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.6W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFBGA Lieferantengerätepaket: 6-EFCP (1.9x1.46)	Auf Lager5.364
EFC6605R-TR ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH EFCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.6W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: 6-EFCP (1.9x1.46)	Auf Lager9.276
EFC6605R-V-TR ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N-CH DUAL 10A 24V 6XFLGA Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.174
EFC6611R-A-TF ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 12V 27A EFCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.640
EFC6611R-TF ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 12V 27A EFCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 2.5W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: 6-CSP (1.77x3.54)	Auf Lager2.898
EFC6612R-A-TF ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 2.5W Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: 6-CSP (1.77x3.54)	Auf Lager7.272
EFC6612R-TF ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 2.5W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: 6-CSP (1.77x3.54)	Auf Lager12.551
EFC6617R-A-TF ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N-CH DUAL 2.5V 6CSP Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.884
EFC6617R-TF ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH EFCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.382

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