Transistoren

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MTM763200LBF Panasonic Electronic Components	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V WSMINI6-F1 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.9A, 1.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 1A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V Leistung - max: 700mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: WSMini6-F1-B	Auf Lager8.442
MTM763250LBF Panasonic Electronic Components	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 1.7A/1A 6-SMD Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.7A, 1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V Leistung - max: 700mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: WSMini6-F1-B	Auf Lager4.212
MTM78E2B0LBF Panasonic Electronic Components	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 4A WSMINI8-F1-B Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 2A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 10V Leistung - max: 150mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: WSMini8-F1-B	Auf Lager147.042
MTMC8E280LBF Panasonic Electronic Components	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 7A WMINI8 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 10V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: WMini8-F1	Auf Lager27.624
MTMC8E2A0LBF Panasonic Electronic Components	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 7A WMINI8 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1450pF @ 10V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket: WMini8-F1	Auf Lager8.046
MVDF1N05ER2G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager3.024
MVDF2C03HDR2G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel Complementary FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.1A, 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 24V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager3.546
NDC7001C ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 60V SSOT6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 510mA, 340mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 510mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V Leistung - max: 700mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: SuperSOT™-6	Auf Lager4.500
NDC7002N ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 510mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 510mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V Leistung - max: 700mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: SuperSOT™-6	Auf Lager5.832
NDC7002N_SB9G007 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 50V 0.51A 6-SSOT Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 510mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 510mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V Leistung - max: 700mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: SuperSOT™-6	Auf Lager5.706
NDC7003P ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 60V 0.34A SSOT6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 340mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 340mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 66pF @ 25V Leistung - max: 700mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: SuperSOT™-6	Auf Lager2.196
NDH8304P ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 2.7A SSOT8 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 865pF @ 10V Leistung - max: 800mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) Lieferantengerätepaket: SuperSOT™-8	Auf Lager8.316
NDM3000 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 3N/3P-CH 30V 3A SO16 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 10V Leistung - max: 1.4W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 16-SOIC	Auf Lager7.992
NDS8852H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.3A, 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 15V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager5.310
NDS8858H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.3A, 4.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V Leistung - max: 1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager5.760
NDS8926 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET DUAL N-CH 20V 8-SO Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 10V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager39
NDS8934 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1120pF @ 10V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager8.748
NDS8936 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager7.596
NDS8947 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 15V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager5.868
NDS8958 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 5.3A/4A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.3A, 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager5.166
NDS8961 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager2.862
NDS9925A ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager4.824
NDS9933 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 10V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager2.412
NDS9933A ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 10V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager6.840
NDS9936 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 15V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager6.066
NDS9942 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N+P 20V 2.5A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A, 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 10V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager4.032
NDS9943 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.8A 8SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A, 2.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 10V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager4.554
NDS9945 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 25V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager37.020
NDS9947 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 542pF @ 10V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager6.372
NDS9948 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8-SOIC Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 394pF @ 30V Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager50.052

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