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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
UM6K1NTN Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 5V Leistung - max: 150mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: UMT6	Auf Lager52.224
UM6K31NFHATCN Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2.5V DRIVE NCH+NCH MOSFET Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V Leistung - max: 150mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: UMT6	Auf Lager28.998
UM6K31NTN Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 250mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V Leistung - max: 150mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: UMT6	Auf Lager272.772
UM6K33NTN Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.2V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V Leistung - max: 120mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: UMT6	Auf Lager29.844
UM6K34NTCN Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 0.9V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 10V Leistung - max: 120mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: UMT6	Auf Lager4.356
UP0187B00L Panasonic Electronic Components	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 0.1A SSMINI-5 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 3V Leistung - max: 125mW Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-665 Lieferantengerätepaket: SSMini5-F2	Auf Lager8.208
UP0487800L Panasonic Electronic Components	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 50V .1A SS-MINI-6P Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 3V Leistung - max: 125mW Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SSMINI6-F1	Auf Lager4.392
UP04878G0L Panasonic Electronic Components	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 50V .1A SSMINI-6 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 3V Leistung - max: 125mW Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SSMini6-F2	Auf Lager6.552
UP0487C00L Panasonic Electronic Components	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 0.1A SSMINI-6 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 3V Leistung - max: 125mW Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SSMINI6-F1	Auf Lager3.474
UP0497900L Panasonic Electronic Components	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 50V/30V SSMINI-6P Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 125mW Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SSMINI6-F1	Auf Lager3.402
UP04979G0L Panasonic Electronic Components	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 50V/30V SSMINI-6 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 125mW Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SSMini6-F2	Auf Lager4.086
UPA1764G(0)-E1-AZ Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays TRANSISTOR Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.928
UPA1764G(0)-E2-AT Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays TRANSISTOR Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.924
UPA1764G-E1-A Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays TRANSISTOR Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.344
UPA1764G-E2-AZ Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 7A 8-SOIC Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager3.222
UPA1950TE-T1-AT Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET P-CH SC-95 Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.8V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 10V Leistung - max: 1.15W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-95 Lieferantengerätepaket: SC-95	Auf Lager7.956
UPA1952TE-T1-A Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET P-CH SC-95 Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.8V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 272pF @ 10V Leistung - max: 1.15W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-95 Lieferantengerätepaket: SC-95	Auf Lager3.562
UPA1981TE-T1-A Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.967
UPA2324T1P-E1-A Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N-CH DUAL LGA Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.876
UPA2350T1P-E4-A Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N-CH DUAL LGA Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 542pF @ 10V Leistung - max: 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-XFLGA Lieferantengerätepaket: 4-EFLIP-LGA (1.62x1.62)	Auf Lager7.704
UPA2351T1P-E4-A Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N-CH DUAL LGA Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 523pF @ 10V Leistung - max: 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-XFLGA Lieferantengerätepaket: 4-EFLIP-LGA (1.62x1.62)	Auf Lager3.528
UPA2352T1P-E4-A Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N-CH DUAL LGA Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 24V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 10V Leistung - max: 750mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-XFLGA Lieferantengerätepaket: 4-EFLIP-LGA (1.4x1.4)	Auf Lager22.000
UPA2372T1P-E4-A Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays TRANSISTOR Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.038
UPA2373T1P-E4-A Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 24V Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.3W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-XFBGA Lieferantengerätepaket: 4-EFLIP-LGA (1.62x1.62)	Auf Lager3.186
UPA2374T1P-E1-A Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N-CH DUAL LGA Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.776
UPA2375T1P-E1-A Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 24V Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.75W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFLGA Lieferantengerätepaket: 6-EFLIP-LGA	Auf Lager7.344
UPA2379T1P-E1-A Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 12V Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.8W Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFLGA Lieferantengerätepaket: 6-EFLIP-LGA (2.17x1.47)	Auf Lager3.420
UPA2380T1P-E4-A Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N-CH DUAL LGA Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 615pF @ 10V Leistung - max: 1.15W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-XFLGA Lieferantengerätepaket: 4-EFLIP-LGA (1.11x1.11)	Auf Lager7.020
UPA2380T1P-SSA-A Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N-CH DUAL LGA Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 615pF @ 10V Leistung - max: 1.15W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-XFLGA Lieferantengerätepaket: 4-EFLIP-LGA (1.11x1.11)	Auf Lager5.400
UPA2381AT1P-E1-A Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N-CH DUAL LGA Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: - FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.138

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