Transistoren

2SK3079ATE12LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - FETs, MOSFETs - RF

MOSF RF N CH 10V PW-X

• Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Transistortyp: N-Channel
• Frequenz: 470MHz
• Gewinn: 13.5dB
• Spannungstest: 4.5V
• Nennstrom (Ampere): 3A
• Rauschzahl: -
• Stromtest: 50mA
• Leistung - Leistung: 33.5dBmW
• Spannung - Nennspannung: 10V
• Paket / Fall: TO-271AA
• Lieferantengerätepaket: PW-X

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2SK3475TE12LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - FETs, MOSFETs - RF

MOSF RF N CH 20V 1A PW-MINI

• Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Transistortyp: N-Channel
• Frequenz: 520MHz
• Gewinn: 14.9dB
• Spannungstest: 7.2V
• Nennstrom (Ampere): 1A
• Rauschzahl: -
• Stromtest: 50mA
• Leistung - Leistung: 630mW
• Spannung - Nennspannung: 20V
• Paket / Fall: TO-243AA
• Lieferantengerätepaket: SC-62

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2SK3476(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - FETs, MOSFETs - RF

MOSF RF N CH 20V 3A PW-X

• Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Transistortyp: N-Channel
• Frequenz: 520MHz
• Gewinn: 11.4dB
• Spannungstest: 7.2V
• Nennstrom (Ampere): 3A
• Rauschzahl: -
• Stromtest: 500mA
• Leistung - Leistung: 7W
• Spannung - Nennspannung: 20V
• Paket / Fall: TO-271AA
• Lieferantengerätepaket: PW-X

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2SK3557-6-TB-E

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - RF

JFET N-CH 15V 50MA SOT23

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: -
• Transistortyp: N-Channel JFET
• Frequenz: 1kHz
• Gewinn: -
• Spannungstest: 5V
• Nennstrom (Ampere): 50mA
• Rauschzahl: 1dB
• Stromtest: 1mA
• Leistung - Leistung: 200mW
• Spannung - Nennspannung: 15V
• Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Lieferantengerätepaket: 3-CP

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2SK3557-7-TB-E

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - RF

JFET N-CH 15V 50MA SOT23

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: -
• Transistortyp: N-Channel JFET
• Frequenz: 1kHz
• Gewinn: -
• Spannungstest: 5V
• Nennstrom (Ampere): 50mA
• Rauschzahl: 1dB
• Stromtest: 1mA
• Leistung - Leistung: -
• Spannung - Nennspannung: 15V
• Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Lieferantengerätepaket: 3-CP

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2SK3737-5-TL-E

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - RF

FET RF

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: -
• Transistortyp: N-Channel
• Frequenz: -
• Gewinn: 35dB
• Spannungstest: 10V
• Nennstrom (Ampere): 12mA
• Rauschzahl: 2dB
• Stromtest: -
• Leistung - Leistung: -
• Spannung - Nennspannung: 15V
• Paket / Fall: SC-70, SOT-323
• Lieferantengerätepaket: 3-MCP

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2SK3756(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - FETs, MOSFETs - RF

MOSFET N-CH PW-MINI

• Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Transistortyp: N-Channel
• Frequenz: 470MHz
• Gewinn: 12dB
• Spannungstest: 4.5V
• Nennstrom (Ampere): 1A
• Rauschzahl: -
• Stromtest: 200mA
• Leistung - Leistung: 32dBm
• Spannung - Nennspannung: 7.5V
• Paket / Fall: TO-243AA
• Lieferantengerätepaket: SC-62

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2SK4037(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - FETs, MOSFETs - RF

MOSFET N-CH PW-X

• Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Transistortyp: N-Channel
• Frequenz: 470MHz
• Gewinn: 11.5dB
• Spannungstest: 6V
• Nennstrom (Ampere): 3A
• Rauschzahl: -
• Stromtest: 250mA
• Leistung - Leistung: 36.5dBmW
• Spannung - Nennspannung: 12V
• Paket / Fall: SC-70, SOT-323
• Lieferantengerätepaket: SC-70

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375-0001

IXYS-RF

Transistoren - FETs, MOSFETs - RF

RF MOSFET N-CH 1000V 10A

• Hersteller: IXYS-RF
• Serie: -
• Transistortyp: -
• Frequenz: -
• Gewinn: -
• Spannungstest: -
• Nennstrom (Ampere): -
• Rauschzahl: -
• Stromtest: -
• Leistung - Leistung: -
• Spannung - Nennspannung: -
• Paket / Fall: -
• Lieferantengerätepaket: -

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375-102N12A-00

IXYS-RF

Transistoren - FETs, MOSFETs - RF

RF MOSFET N-CHANNEL DE375

• Hersteller: IXYS-RF
• Serie: DE
• Transistortyp: N-Channel
• Frequenz: -
• Gewinn: -
• Spannungstest: -
• Nennstrom (Ampere): 12A
• Rauschzahl: -
• Stromtest: -
• Leistung - Leistung: 940W
• Spannung - Nennspannung: 1000V
• Paket / Fall: 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
• Lieferantengerätepaket: DE375

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375-102N15A-00

IXYS-RF

Transistoren - FETs, MOSFETs - RF

RF MOSFET N-CHANNEL DE375

• Hersteller: IXYS-RF
• Serie: DE
• Transistortyp: N-Channel
• Frequenz: -
• Gewinn: -
• Spannungstest: -
• Nennstrom (Ampere): 15A
• Rauschzahl: -
• Stromtest: -
• Leistung - Leistung: 940W
• Spannung - Nennspannung: 1000V
• Paket / Fall: 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
• Lieferantengerätepaket: DE375

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375-501N21A-00

IXYS-RF

Transistoren - FETs, MOSFETs - RF

RF MOSFET N-CHANNEL DE375

• Hersteller: IXYS-RF
• Serie: DE
• Transistortyp: N-Channel
• Frequenz: -
• Gewinn: -
• Spannungstest: -
• Nennstrom (Ampere): 25A
• Rauschzahl: -
• Stromtest: -
• Leistung - Leistung: 940W
• Spannung - Nennspannung: 500V
• Paket / Fall: 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
• Lieferantengerätepaket: DE375

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3SK263-5-TG-E

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - RF

FET RF 15V 200MHZ CP4

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: -
• Transistortyp: N-Channel Dual Gate
• Frequenz: 200MHz
• Gewinn: 21dB
• Spannungstest: 6V
• Nennstrom (Ampere): 30mA
• Rauschzahl: 2.2dB
• Stromtest: 10mA
• Leistung - Leistung: -
• Spannung - Nennspannung: 15V
• Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA
• Lieferantengerätepaket: 4-CP

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3SK264-5-TG-E

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - RF

FET RF 15V 200MHZ CP4

• Hersteller: ON Semiconductor
• Serie: -
• Transistortyp: N-Channel Dual Gate
• Frequenz: 200MHz
• Gewinn: 23dB
• Spannungstest: 6V
• Nennstrom (Ampere): 30mA
• Rauschzahl: 2.2dB
• Stromtest: 10mA
• Leistung - Leistung: -
• Spannung - Nennspannung: 15V
• Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA
• Lieferantengerätepaket: 4-CP

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3SK291(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - FETs, MOSFETs - RF

MOSFET N-CH SMQ

• Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Transistortyp: N-Channel Dual Gate
• Frequenz: 800MHz
• Gewinn: 22.5dB
• Spannungstest: 6V
• Nennstrom (Ampere): 30mA
• Rauschzahl: 2.5dB
• Stromtest: 10mA
• Leistung - Leistung: -
• Spannung - Nennspannung: 12.5V
• Paket / Fall: SC-61AA
• Lieferantengerätepaket: SMQ

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3SK292(TE85R,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - FETs, MOSFETs - RF

MOSFET N-CH 12.5 30MA SMQ

• Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Transistortyp: N-Channel Dual Gate
• Frequenz: 500MHz
• Gewinn: 26dB
• Spannungstest: 6V
• Nennstrom (Ampere): 30mA
• Rauschzahl: 1.4dB
• Stromtest: 10mA
• Leistung - Leistung: -
• Spannung - Nennspannung: 12.5V
• Paket / Fall: SC-61AA
• Lieferantengerätepaket: SMQ

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3SK293(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - FETs, MOSFETs - RF

FET RF 12.5V 800MHZ USQ

• Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Transistortyp: N-Channel Dual Gate
• Frequenz: 800MHz
• Gewinn: 22dB
• Spannungstest: 6V
• Nennstrom (Ampere): 30mA
• Rauschzahl: 2.5dB
• Stromtest: 10mA
• Leistung - Leistung: -
• Spannung - Nennspannung: 12.5V
• Paket / Fall: SC-82A, SOT-343
• Lieferantengerätepaket: USQ

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3SK294(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Transistoren - FETs, MOSFETs - RF

FET RF 12.5V 500MHZ USQ

• Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Transistortyp: N-Channel
• Frequenz: 500MHz
• Gewinn: 26dB
• Spannungstest: 6V
• Nennstrom (Ampere): 30mA
• Rauschzahl: 1.4dB
• Stromtest: 10mA
• Leistung - Leistung: -
• Spannung - Nennspannung: 12.5V
• Paket / Fall: SC-82A, SOT-343
• Lieferantengerätepaket: USQ

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3SK318YB-TL-E

Renesas Electronics America

Transistoren - FETs, MOSFETs - RF

TRANS N-CH CMPAK-4

• Hersteller: Renesas Electronics America
• Serie: -
• Transistortyp: N-Channel Dual Gate
• Frequenz: -
• Gewinn: 21dB
• Spannungstest: 3.5V
• Nennstrom (Ampere): -
• Rauschzahl: 1.4dB
• Stromtest: 10mA
• Leistung - Leistung: -
• Spannung - Nennspannung: 6V
• Paket / Fall: SC-82A, SOT-343
• Lieferantengerätepaket: CMPAK-4

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3SK324UG-TL-E

Renesas Electronics America

Transistoren - FETs, MOSFETs - RF

TRANS N-CH CMPAK-4

• Hersteller: Renesas Electronics America
• Serie: -
• Transistortyp: N-Channel Dual Gate
• Frequenz: -
• Gewinn: 24dB
• Spannungstest: 3.5V
• Nennstrom (Ampere): -
• Rauschzahl: 1dB
• Stromtest: 10mA
• Leistung - Leistung: -
• Spannung - Nennspannung: 6V
• Paket / Fall: SC-82A, SOT-343
• Lieferantengerätepaket: CMPAK-4

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475-102N20A-00

IXYS-RF

Transistoren - FETs, MOSFETs - RF

RF MOSFET N-CHANNEL DE475

• Hersteller: IXYS-RF
• Serie: DE
• Transistortyp: N-Channel
• Frequenz: -
• Gewinn: -
• Spannungstest: -
• Nennstrom (Ampere): 20A
• Rauschzahl: -
• Stromtest: -
• Leistung - Leistung: 1800W
• Spannung - Nennspannung: 1000V
• Paket / Fall: 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
• Lieferantengerätepaket: DE475

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475-102N21A-00

IXYS-RF

Transistoren - FETs, MOSFETs - RF

RF MOSFET N-CHANNEL DE475

• Hersteller: IXYS-RF
• Serie: DE
• Transistortyp: N-Channel
• Frequenz: -
• Gewinn: -
• Spannungstest: -
• Nennstrom (Ampere): 24A
• Rauschzahl: -
• Stromtest: -
• Leistung - Leistung: 1800W
• Spannung - Nennspannung: 1000V
• Paket / Fall: 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
• Lieferantengerätepaket: DE475

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475-501N44A-00

IXYS-RF

Transistoren - FETs, MOSFETs - RF

RF MOSFET N-CHANNEL DE475

• Hersteller: IXYS-RF
• Serie: DE
• Transistortyp: N-Channel
• Frequenz: -
• Gewinn: -
• Spannungstest: -
• Nennstrom (Ampere): 48A
• Rauschzahl: -
• Stromtest: -
• Leistung - Leistung: 1800W
• Spannung - Nennspannung: 500V
• Paket / Fall: 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
• Lieferantengerätepaket: DE475

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A2G22S160-01SR3

NXP

Transistoren - FETs, MOSFETs - RF

IC TRANS RF LDMOS

• Hersteller: NXP USA Inc.
• Serie: -
• Transistortyp: -
• Frequenz: 2.11GHz
• Gewinn: 19.6dB
• Spannungstest: 48V
• Nennstrom (Ampere): -
• Rauschzahl: -
• Stromtest: 150mA
• Leistung - Leistung: 32W
• Spannung - Nennspannung: 125V
• Paket / Fall: NI-400S-2S
• Lieferantengerätepaket: NI-400S-2S

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A2G22S251-01SR3

NXP

Transistoren - FETs, MOSFETs - RF

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

• Hersteller: NXP USA Inc.
• Serie: -
• Transistortyp: LDMOS
• Frequenz: 1.805GHz ~ 2.2GHz
• Gewinn: 17.7dB
• Spannungstest: 48V
• Nennstrom (Ampere): -
• Rauschzahl: -
• Stromtest: 200mA
• Leistung - Leistung: 52dBm
• Spannung - Nennspannung: 125V
• Paket / Fall: NI-400S-2S
• Lieferantengerätepaket: NI-400S-2S

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A2G26H280-04SR3

NXP

Transistoren - FETs, MOSFETs - RF

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

• Hersteller: NXP USA Inc.
• Serie: -
• Transistortyp: -
• Frequenz: -
• Gewinn: -
• Spannungstest: -
• Nennstrom (Ampere): -
• Rauschzahl: -
• Stromtest: -
• Leistung - Leistung: -
• Spannung - Nennspannung: -
• Paket / Fall: -
• Lieferantengerätepaket: -

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A2G26H281-04SR3

NXP

Transistoren - FETs, MOSFETs - RF

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

• Hersteller: NXP USA Inc.
• Serie: -
• Transistortyp: LDMOS
• Frequenz: 2.496GHz ~ 2.69GHz
• Gewinn: 14.2dB
• Spannungstest: 48V
• Nennstrom (Ampere): -
• Rauschzahl: -
• Stromtest: 150mA
• Leistung - Leistung: 50W
• Spannung - Nennspannung: 125V
• Paket / Fall: NI-780S-4L
• Lieferantengerätepaket: NI-780S-4L

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A2G35S160-01SR3

NXP

Transistoren - FETs, MOSFETs - RF

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

• Hersteller: NXP USA Inc.
• Serie: -
• Transistortyp: LDMOS
• Frequenz: 3.4GHz ~ 3.6GHz
• Gewinn: 15.7dB
• Spannungstest: 48V
• Nennstrom (Ampere): -
• Rauschzahl: -
• Stromtest: 190mA
• Leistung - Leistung: 51dBm
• Spannung - Nennspannung: 125V
• Paket / Fall: NI-400S-2S
• Lieferantengerätepaket: NI-400S-2S

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A2G35S200-01SR3

NXP

Transistoren - FETs, MOSFETs - RF

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

• Hersteller: NXP USA Inc.
• Serie: -
• Transistortyp: LDMOS
• Frequenz: 3.4GHz ~ 3.6GHz
• Gewinn: 16.1dB
• Spannungstest: 48V
• Nennstrom (Ampere): -
• Rauschzahl: -
• Stromtest: 291mA
• Leistung - Leistung: 180W
• Spannung - Nennspannung: 125V
• Paket / Fall: NI-400S-2S
• Lieferantengerätepaket: NI-400S-2S

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A2I08H040GNR1

NXP

Transistoren - FETs, MOSFETs - RF

IC RF LDMOS AMP

• Hersteller: NXP USA Inc.
• Serie: -
• Transistortyp: LDMOS (Dual)
• Frequenz: 920MHz
• Gewinn: 30.7dB
• Spannungstest: 28V
• Nennstrom (Ampere): -
• Rauschzahl: -
• Stromtest: 25mA
• Leistung - Leistung: 9W
• Spannung - Nennspannung: 65V
• Paket / Fall: TO-270-15 Variant, Gull Wing
• Lieferantengerätepaket: TO-270WBG-15

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