Transistoren

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2SK060100L Panasonic Electronic Components	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 500MA MINI-PWR Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: MiniP3-F1 Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager3.798
2SK0601G0L Panasonic Electronic Components	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 0.5A MINIP-3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: MiniP3-F2 Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager3.436
2SK0615 Panasonic Electronic Components	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 500MA 3-SIP Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): 20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: M-A1 Paket / Fall: 3-SIP	Auf Lager7.128
2SK066400L Panasonic Electronic Components	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 20mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 5V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SMini3-G1 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager7.992
2SK0664G0L Panasonic Electronic Components	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 20mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 5V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SMini3-F2 Paket / Fall: SC-85	Auf Lager5.634
2SK066500L Panasonic Electronic Components	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 100MA SMINI-3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 20mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SMini3-G1 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager3.544
2SK0665G0L Panasonic Electronic Components	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V .1A SMINI-3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 20mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SMini3-F2 Paket / Fall: SC-85	Auf Lager8.604
2SK1058-E Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 160V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3P Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager2.340
2SK1119(F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager6.462
2SK122800L Panasonic Electronic Components	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 50V 50MA MINI 3-PIN Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 10mA, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4.5pF @ 5V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Mini3-G1 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager8.910
2SK1317-E Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-3P Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 2A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 990pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3P Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager4.824
2SK1339-E Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 900V 3A TO-3P Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 425pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 80W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3P Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager6.822
2SK1340-E Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 900V 5A TO-3P Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3P Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager2.610
2SK1341-E Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 980pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3P Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager4.086
2SK1342-E Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1730pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3P Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager3.546
2SK137400L Panasonic Electronic Components	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 50V 50MA SMINI-3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 10mA, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4.5pF @ 5V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SMini3-G1 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager8.838
2SK1374G0L Panasonic Electronic Components	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 50V .05A SMINI-3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 10mA, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4.5pF @ 5V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SMini3-F2 Paket / Fall: SC-85	Auf Lager7.038
2SK1518-E Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 20A TO3P Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3050pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 120W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3P Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager4.374
2SK1775-E Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1730pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 60W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3P Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager2.070
2SK1828TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 50MA S-MINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 10mA, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5.5pF @ 3V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 200mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-59 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager213.594
2SK1829TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 0.05A USM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 10mA, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5.5pF @ 3V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-70 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager5.292
2SK1835-E Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3P Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 2A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 125W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3P Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager12.636
2SK1859-E Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 980pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 60W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-3P Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3	Auf Lager3.798
2SK2009TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50MA, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 3V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 200mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-59-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager6.426
2SK2034TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 100MA USM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SC-70 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager6.372
2SK2035(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 0.1A SSM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8.5pF @ 3V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SSM Paket / Fall: SC-75, SOT-416	Auf Lager2.502
2SK2094TL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 2A DPAK Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 20W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: CPT3 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager2.430
2SK2095N Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 10A TO-220FN Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 30W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220FN Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager6.894
2SK2103T100 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 2A SOT-89 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: MPT3 Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager7.524
2SK221100L Panasonic Electronic Components	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 1A MINI-PWR Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: MiniP3-F1 Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager7.902

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