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Cree/Wolfspeed Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

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KategorieHalbleiter / Transistoren / Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
HerstellerCree/Wolfspeed
Datensätze 39
Seite 2/2
Bild
Teilenummer
Hersteller
Beschreibung
Auf Lager
Menge
Serie
FET-Typ
Technologie
Drain to Source Voltage (Vdss)
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Vgs (th) (Max) @ Id
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Vgs (Max)
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
FET-Funktion
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Montagetyp
Lieferantengerätepaket
Paket / Fall
C3M0021120K
Cree/Wolfspeed
1200V, 21 MOHM, G3 SIC MOSFET
6.174
*
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
C2M1000170J-TR
Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247
3.436
C2M™
N-Channel
SiCFET (Silicon Carbide)
1700V
5.3A (Tc)
20V
1.4Ohm @ 2A, 20V
3.1V @ 500µA (Typ)
13nC @ 20V
+25V, -10V
200pF @ 1000V
-
78W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
D2PAK-7
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
C3M0065090J-TR
Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
5.796
C3M™
N-Channel
SiCFET (Silicon Carbide)
900V
35A (Tc)
15V
78mOhm @ 20A, 15V
2.1V @ 5mA
30nC @ 15V
+19V, -8V
660pF @ 600V
-
113W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
D2PAK-7
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
C3M0065100J-TR
Cree/Wolfspeed
1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
6.372
C3M™
N-Channel
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
1000V
35A (Tc)
15V
78mOhm @ 20A, 15V
3.5V @ 5mA
35nC @ 15V
+15V, -4V
660pF @ 600V
-
113.5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
TO-263-7
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
C3M0075120J-TR
Cree/Wolfspeed
1200V, 75 MOHM, G3 SIC MOSFET ON
7.812
C3M™
N-Channel
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
1200V
30A (Tc)
15V
90mOhm @ 20A, 15V
4V @ 5mA
51nC @ 15V
+15V, -4V
1350pF @ 1000V
-
113.6W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
TO-263-7
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
CMF20120D
Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 1200V 42A TO-247-3
7.776
Z-FET™
N-Channel
SiCFET (Silicon Carbide)
1200V
42A (Tc)
20V
110mOhm @ 20A, 20V
4V @ 1mA
90.8nC @ 20V
+25V, -5V
1915pF @ 800V
-
215W (Tc)
-55°C ~ 135°C (TJ)
Through Hole
TO-247-3
TO-247-3
CMF10120D
Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 1200V 24A TO247
5.346
Z-FET™
N-Channel
SiCFET (Silicon Carbide)
1200V
24A (Tc)
20V
220mOhm @ 10A, 20V
4V @ 500µA
47.1nC @ 20V
+25V, -5V
928pF @ 800V
-
134W (Tc)
-55°C ~ 135°C (TJ)
Through Hole
TO-247
TO-247-3
CPMF-1200-S080B
Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CHANNEL 1200V 50A DIE
8.046
Z-FET™
N-Channel
SiCFET (Silicon Carbide)
1200V
50A (Tj)
20V
110mOhm @ 20A, 20V
4V @ 1mA
90.8nC @ 20V
+25V, -5V
1915pF @ 800V
-
313mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
Die
Die
CPMF-1200-S160B
Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CHANNEL 1200V 28A DIE
2.052
Z-FET™
N-Channel
SiCFET (Silicon Carbide)
1200V
28A (Tj)
20V
220mOhm @ 10A, 20V
4V @ 1mA
47.1nC @ 20V
+25V, -5V
928pF @ 800V
-
202W (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
Die
Die