DMG4800LSD-13 Datenblatt
DMG4800LSD-13 Datenblatt
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Diodes Incorporated
Website: https://www.diodes.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
DMG4800LSD-13
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.56nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 798pF @ 10V Leistung - max 1.17W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
