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DMG4800LSD-13

DMG4800LSD-13

Nur als Referenz

Teilenummer DMG4800LSD-13
PNEDA Teilenummer DMG4800LSD-13
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
Hersteller Diodes Incorporated
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

DMG4800LSD-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerDMG4800LSD-13
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
DMG4800LSD-13, DMG4800LSD-13 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 243,97 KB)
PDFDMG4800LSD-13 Datenblatt Cover
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DMG4800LSD-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.7.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.56nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds798pF @ 10V
Leistung - max1.17W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOP

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Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.9A, 2.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.8nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 10V

Leistung - max

1.4W, 1.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Serie

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FET-Typ

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FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.1mOhm @ 18.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1260pF @ 15V

Leistung - max

39W, 100W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

15pF @ 16V

Leistung - max

1.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

140mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12pF @ 15V

Leistung - max

125mW

Betriebstemperatur

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250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A, 2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.63Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

180pF @ 25V

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